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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1n5532d/tr | 5.8650 | ![]() | 4265 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5532d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 161 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.8 V | 12 v | 90 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SMBJ5951C/TR13 | 2.0850 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5951 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 91,2 V. | 120 v | 380 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5372E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5372 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 44.6 V. | 62 v | 42 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4466 | 7.3800 | ![]() | 3736 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N4466 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N4466ms | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 NA @ 8.8 V. | 11 v | 6 Ohm | |||||||||||
![]() | 689-2p | 280.3200 | ![]() | 8809 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Nd | 689-2 | Standard | Nd | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-689-2p | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 1,2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
1N827-1 | 6.0150 | ![]() | 1369 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N827 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N6026ur/tr | 3.7350 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | 150-1n6026ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 Ma | 120 v | ||||||||||||||||
![]() | 1n5805/tr | 5.8500 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5805/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 125 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 125 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | CDLL3029B/Tr | 13.7522 | ![]() | 6418 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll3029b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 18.2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N4740CPE3/TR12 | 1.1550 | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4740 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||
1n5529a | 1.8150 | ![]() | 9456 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5529a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 7 v | 9.1 v | |||||||||||||||
Jan1n4478dus | 34.6050 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4478 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 28,8 V. | 36 v | 27 Ohm | ||||||||||||
JantX1N746D-1 | - - - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL5537D/Tr | 16.3950 | ![]() | 1676 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5537d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | MPP4402-206/Tr | 5.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-mpp4402-206/tr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3662R | 41.6850 | ![]() | 1147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | PRICE PASSFORM | Do-208aa | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-21 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3662r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,1 V @ 35 a | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1 PMT4124CE3/TR7 | 0,4950 | ![]() | 3064 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00124 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 32.65 V. | 43 v | 250 Ohm | |||||||||||
JantX1N486B | - - - | ![]() | 2503 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/118 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N486 | Standard | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 225 v | 1 V @ 100 mA | 25 Na @ 225 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||
![]() | Jantxv1n5527dur-1 | 61.9050 | ![]() | 8162 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5527 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.8 V. | 7,5 v | 35 Ohm | |||||||||||
1N457A/Tr | 3.9600 | ![]() | 9155 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n457a/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 239 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 100 mA | 1 µa @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | - - - | |||||||||||||
JantX1N5519D-1 | 21.9150 | ![]() | 1473 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5519 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||
JANS1N6320CUS | 285.0750 | ![]() | 4843 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Tablett | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6320 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3 Ohm | |||||||||||||
Jan1N4127C-1 | 10.5000 | ![]() | 8146 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4127 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n4131dur-1/Tr | 32.0663 | ![]() | 9592 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4131dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1n2830b | 94.8900 | ![]() | 1101 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2830 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 38 V | 50 v | 5 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1N938BUR-1/Tr | - - - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/156 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N938BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||
![]() | JANS1N4116DUR-1/Tr | 137.5900 | ![]() | 2222 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4116DUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 18,3 V. | 24 v | 150 Ohm | ||||||||||||
APT30DQ60KG | 0,8900 | ![]() | 1924 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | APT30DQ60 | Standard | To-220 [k] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,4 V @ 30 a | 30 ns | 25 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||
![]() | 1 PMT5939/TR13 | 2.2200 | ![]() | 5842 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5939 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 29.7 V. | 39 v | 45 Ohm | |||||||||||
1N4569-1 | 67.3350 | ![]() | 7510 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | 0 ° C ~ 75 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4569 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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