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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4554RB | 54.1050 | ![]() | 3734 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N4554 | 500 MW | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 20 µa @ 2 V | 6.2 v | 0,14 Ohm | |||||||||||
1N5922BUR-1 | 4.0650 | ![]() | 2416 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N5922 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 6 V | 7,5 v | 3 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N1190R | 74.5200 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1190 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N1190RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,4 V @ 110 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||
![]() | JantX1N4105dur-1 | 30.9000 | ![]() | 9814 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4105 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8,5 V | 11 v | 200 Ohm | |||||||||||
Jantxv1n6317d | 45.0600 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6317 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL6858/Tr | 13.8900 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6858/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 650 mv @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 4.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5364/TR8 | 2.6250 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5364 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 23.8 V. | 33 v | 10 Ohm | |||||||||||
![]() | 1 PMT5947B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 5996 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5947 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 62,2 V. | 82 v | 160 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1n3044bur-1 | 12.7350 | ![]() | 7272 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1n3044 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 76 V | 100 v | 350 Ohm | |||||||||||
![]() | CDS4153ur-1 | - - - | ![]() | 5038 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS4153ur-1 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4570aur-1/Tr | 9.0600 | ![]() | 6533 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4570aur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL4579/Tr | 29.8800 | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4579/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 50 Ohm | ||||||||||||||
![]() | APT2X101D60J | 28.9900 | ![]() | 391 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT2X101 | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 600 V | 100a | 1,8 V @ 100 a | 180 ns | 250 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | JantX1N5534BUR-1/Tr | 13.2202 | ![]() | 1746 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5534bur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 12,6 V. | 14 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | S306120f | 49.0050 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S306120f | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N935AE3/Tr | 5.9250 | ![]() | 8844 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n935ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 160 | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||||
![]() | CDLL4918 | 121.1400 | ![]() | 4815 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4918 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 V | 19,2 v | 600 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N5938BPE3/TR8 | 0,9450 | ![]() | 4070 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5938 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 27,4 V | 36 v | 38 Ohm | |||||||||||
![]() | HSM835J/TR13 | 2.0100 | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HSM835 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 620 mv @ 8 a | 250 µa @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
1n825e3/tr | 5.6100 | ![]() | 9188 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n825e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 169 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||
JantX1N4372C-1 | 22.3950 | ![]() | 8490 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4372 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 30 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1n5998d | 5.1900 | ![]() | 7979 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5998 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6,5 V. | 8.2 v | 7 Ohm | |||||||||||
![]() | Janhca1n4108 | 13.2734 | ![]() | 7271 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4108 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 10.65 V. | 14 v | 200 Ohm | ||||||||||||
![]() | CD5344B | 5.0274 | ![]() | 1191 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 5 w | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5344b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 6,2 V | 8.2 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||
![]() | Janhca1n4105d | - - - | ![]() | 1551 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4105d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 8.44 V. | 11 v | 200 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N3650 | 31.3350 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/260 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 2,2 V @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | - - - | 3.3a | - - - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n3023dur-1 | 56.9100 | ![]() | 7126 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3023 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm | |||||||||||
1N4762aur | 3.4650 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N4762 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 62,2 V. | 82 v | 200 Ohm | ||||||||||||
![]() | JantX1N5524DUR-1/Tr | 42.0014 | ![]() | 5705 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5524dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 3,5 V | 5.6 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N754aur-1 | 3.0300 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N754 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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