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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
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JANS1N6491CUS | - - - | ![]() | 1561 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SQ-Melf, a | 1N6491 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 na @ 2 v | 5.6 v | 5 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5269bur-1 | 3.5850 | ![]() | 2978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5269 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 68 V. | 87 v | 370 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N3664R | 41.6850 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-208aa | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-21 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3664r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 35 a | 10 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1N6352 | - - - | ![]() | 8372 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 114 v | 150 v | 1000 Ohm | |||||||||||||
UES1003/Tr | 26.3700 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-ees1003/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 1 a | 25 ns | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | CDLL5525C/Tr | 12.3900 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5525c/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 6.2 v | 30 Ohm | |||||||||||||
Jan1N4570A-1/Tr | 3.6150 | ![]() | 9313 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4570A-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CDS5711-1 | - - - | ![]() | 3252 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS3023B-1 | - - - | ![]() | 8055 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS3023B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3163 | 195.7200 | ![]() | 8001 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3163 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3163Ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,25 V @ 240 a | 75 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 240a | - - - | ||||||||||
1N4249 | - - - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
1N4248 | - - - | ![]() | 1741 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
![]() | 1N5352A/TR8 | - - - | ![]() | 2988 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5352 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 10,8 V. | 15 v | 2,5 Ohm | |||||||||||
![]() | CDLL5278a/tr | 3.7800 | ![]() | 9606 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5278a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 250 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 123 v | 170 v | 1900 Ohm | ||||||||||||||
![]() | JANS1N4994C | - - - | ![]() | 9740 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 251 V | 330 V | 1175 Ohm | |||||||||||||
![]() | UES804 | 65.9400 | ![]() | 1234 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 50 a | 50 ns | -55 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n3034dur-1/Tr | 50.5932 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3034dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5358BE3/TR8 | 2.6850 | ![]() | 1995 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5358 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 15,8 V. | 22 v | 3,5 Ohm | |||||||||||
![]() | 1 PMT5933/TR13 | 2.2200 | ![]() | 4542 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5933 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | |||||||||||
![]() | JantX1N750DUR-1 | 15.2100 | ![]() | 6804 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N750 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||
![]() | 1 PMT5927A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 3636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5927 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 6,5 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n4495cus/tr | 45.2850 | ![]() | 5164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4495cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 144 v | 180 v | 1300 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N4736age3 | 3.3300 | ![]() | 3913 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4736age3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||
![]() | S16-4150/TR13 | 3.6150 | ![]() | 5278 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | S16-4150 | Standard | 16-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 8 Unabhängig | 50 v | 400 mA (DC) | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | Jan1n2819b | - - - | ![]() | 4257 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/114 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2819 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 16,7 V | 22 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N6932UTK1CS | 259.3500 | ![]() | 1749 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6932utk1cs | 1 | |||||||||||||||||||||||||
Jan1N759D-1/Tr | 5.8919 | ![]() | 6148 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N759D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9 V | 12 v | 30 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4482C | 17.7000 | ![]() | 2320 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4482c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 40,8 V. | 51 v | 60 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantXV1N746CUR-1 | 16.5600 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N746 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||
![]() | JANS1N4621DUR-1 | 207.1350 | ![]() | 4415 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3,5 µa @ 2 V | 3.6 V | 1700 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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