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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GC2521-450A | - - - |  | 6265 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC2521-450ATR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,6PF @ 6v, 1 MHz | Einzel | 20 v | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
 | CDLL4767 | 113.1000 | | 3914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4767 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9.1 v | 350 Ohm | |||||||||||||||||
 | Jantx1n3821dur-1 | 50.8650 | | 9265 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3821 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
 | JantXV1N981C-1 | 7.5750 | | 9259 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N981 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 52 V | 68 v | 230 Ohm | |||||||||||||||
 | MSC50DC170HJ | 170.3100 | | 9210 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | MSC50DC170 | Silziumcarbide Schottky | SOT-227 (ISOTOP®) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSC50DC170HJ | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,8 V @ 50 a | 200 µa @ 1700 V | 50 a | Einphase | 1,7 kv | ||||||||||||||
| Jantxv1n5519dur-1/tr | 53.1335 | | 5424 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5519dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||
| CDLL4976 | 11.1450 | | 5610 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4976 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4482/tr | 11.4114 | | 8883 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4482/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 40,8 V. | 51 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||
 | MML4402-GM3 | 6.0200 | | 4936 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MML4400 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4-smd, Keine Frotung | MML4402 | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 2PF @ 0V, 1MHz | Pin - 2 Unabhängig | 75 V | 1,5OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | KV1501-11 | - - - | | 1371 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-kv1501-11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 10.6PF @ 10V, 1 MHz | Einzel | 12 v | 17.5 | C2/C10 | 130 @ 2v, 10 MHz | |||||||||||||||||
 | SMAJ5929AE3/TR13 | 0,6450 | | 7445 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5929 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 9 Ohm | |||||||||||||||
| JantXV1N4625C-1 | 14.7750 | | 3755 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4625 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.1 v | 1500 Ohm | |||||||||||||||
| Jan1N6764R | - - - | | 5874 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | Standard | To-254 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,05 V @ 12 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | - - - | 12a | 300PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||
| CDS6857ur-1/Tr | - - - | | 9171 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS6857ur-1/Tr | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4571d/tr | - - - | | 3636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4571d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5946CE3/TR7 | 0,7350 | | 9326 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5946 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 Ohm | |||||||||||||||
 | JANS1N4956US/Tr | 108.9908 | | 6554 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4956us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 µa @ 6,2 V | 8.2 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||
 | CD5251B | 1.4497 | | 5767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5251b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | ||||||||||||||||
| Jan1N4622C-1/Tr | 8.6317 | | 3574 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4622C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2,5 µa @ 2 V | 3,9 v | 1650 Ohm | ||||||||||||||||
 | UES1306SM/Tr | 45.3900 | | 6748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-EES1306SM/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 50 ns | 20 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||
 | JantXV1N4976CUS | 40.8900 | | 4280 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4976CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 42,6 V. | 56 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||
| CDLL825AE3 | 6.0300 | | 3471 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 4,84% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll825ae3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
 | Janhca1n4116 | 13.2734 | | 1585 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4116 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 18.25 V. | 24 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||
 | UZ117 | 22.4400 | | 3815 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 3 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz117 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µa @ 129 V | 170 v | 750 Ohm | ||||||||||||||||||
| JantXV1N6346D | 46.9200 | | 6167 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6346d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 62 v | 82 v | 220 Ohm | |||||||||||||||||
| 1N6911utk2as | 259.3500 | | 6107 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6911utk2as | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 30 v | 540 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 1250pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||
| Jantxv1n982bur-1 | 7.5600 | | 6420 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N982 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 56 V | 75 V | 270 Ohm | |||||||||||||||
 | JantX1N5620/Tr | 6.0750 | | 4385 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/427 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5620/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||
| Jankca1n754c | - - - | | 9902 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N754C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 6,8 v | 5 Ohm | |||||||||||||||||
| R30430 | 49.0050 | | 5521 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R30430 | 1 |
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