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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N6632us/tr | 14.7200 |  | 2542 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm | |||||||||||||||
 | CDLL5524 | 6.4800 | | 7968 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5524 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 3 V | 5.6 v | 30 Ohm | |||||||||||
 | JantX1N6352CUS/Tr | - - - | | 8155 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6352CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 114 v | 150 v | 1000 Ohm | ||||||||||||||
 | SMAJ5939CE3/TR13 | 0,6450 | | 8895 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5939 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 29.7 V. | 39 v | 45 Ohm | |||||||||||
 | 1N5919PE3/TR12 | 0,9150 | | 5359 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5919 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||||
| 1N5349C/TR12 | 3.3900 | | 1684 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5349 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 8,6 V | 12 v | 2,5 Ohm | |||||||||||
| HSM360GE3/TR13 | 0,9900 | | 7879 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | DO-215AB, SMC-Möwenflügel | HSM360 | Schottky | Do-215ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 620 mv @ 3 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
 | JantXV1N4114C-1 | 23.1600 | | 3208 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4114 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | |||||||||||
 | Jantxv1n3033dur-1/Tr | 50.5932 | | 2338 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3033dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||
 | Jan1n5711ur-1/tr | 10.2900 | | 6305 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5711ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| JANS1N4109CUR-1 | 98.9100 | | 5647 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 v | 15 v | 100 Ohm | |||||||||||||
 | JANS1N4989DUS | 527.9550 | | 1241 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4989dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 152 V | 200 v | 500 Ohm | |||||||||||||
| JantXV1N6340CUS/Tr | 49.6202 | | 3631 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantxv1n6340cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 36 v | 47 v | 75 Ohm | ||||||||||||||
| JANS1N4496D | 452.0100 | | 5470 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4496d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 160 V | 200 v | 1500 Ohm | |||||||||||||
| 1N4755ur-1/tr | 3.6200 | | 8482 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||||
| Jan1n3024bur-1 | 12.7350 | | 3761 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3024 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm | |||||||||||
 | JantX1N6346us/Tr | 18.2400 | | 5762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantx1n6346us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 62 v | 82 v | 220 Ohm | ||||||||||||||
 | CDLL5270/Tr | 3.3516 | | 4288 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5270/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 69 V | 91 V | 400 Ohm | ||||||||||||
 | 1n5119/tr | 23.3550 | | 9280 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5119/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 40 v | 14 Ohm | |||||||||||||||
| CDLL942/Tr | 13.2150 | | 3989 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll942/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | |||||||||||||
| JantX1N6325DUS/Tr | 58.0500 | | 6892 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6325DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 1 µA @ 8,5 V. | 11 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
| MSASC100W15H/Tr | - - - | | 4175 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC100W15H/Tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5189 | 14.5950 | | 7933 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5189 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 1N459/Tr | 102.2400 | | 9813 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n459/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1 V @ 100 mA | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | - - - | ||||||||||||
 | 1 PMT5930CE3/TR13 | 0,7350 | | 1999 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5930 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 12,2 V. | 16 v | 10 Ohm | |||||||||||
| 1n5914d | 7.5450 | | 6900 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5914 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 3.6 V | 9 Ohm | ||||||||||||
 | 1N4130/tr | 2.3408 | | 4409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4130/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 51.68 V. | 68 v | 700 Ohm | ||||||||||||
| 1N7037CCU1 | 169.4100 | | 3078 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1N7037 | Schottky | U1 (SMD-1) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 35a | 1,22 V @ 35 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| JantX1N4621CUR-1 | 23.1600 | | 6936 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4621 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3,5 µa @ 2 V | 3.6 V | 1700 Ohm | ||||||||||||
 | Jantxv1n5809 | 15.3750 | | 4243 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5809 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 65PF @ 10V, 1 MHz |
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