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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
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![]() | JantX1N2811RB | - - - | ![]() | 7787 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/114 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2811 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 9,9 V | 13 v | 1,1 Ohm | ||||||||||||
![]() | JANS1N6337DUS | 492.3904 | ![]() | 5707 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6337DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 27 v | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDLL6331/Tr | 13.1404 | ![]() | 4592 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6331/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 15 V | 20 v | 18 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDLL5535D/Tr | 16.3950 | ![]() | 6629 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5535d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | MNS1N4567DUR-1/Tr | 70.2150 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150 Mns1n4567dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N3347a | 49.3800 | ![]() | 1275 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3347 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 121,6 V | 160 v | 80 Ohm | |||||||||||
1n5265/tr | 2.2950 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5265/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 410 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 45 V | 62 v | 185 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1 PMT5929AE3/TR13 | 0,7350 | ![]() | 4860 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5929 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 8 Ohm | |||||||||||
MSC2X50SDA070J | 47.7600 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | MSC2X50 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | SOT-227 (ISOTOP®) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSC2X50SDA070J | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 2 Unabhängig | 700 V | 50a (DC) | 1,8 V @ 50 a | 0 ns | 200 µA @ 700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | 1N4747AE3 | 3.5250 | ![]() | 2221 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | 1N4747 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1N4747AE3MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
JANS1N4988D | 519.7200 | ![]() | 4927 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4988d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 136,8 V | 180 v | 450 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CD965B | 1.5162 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD965b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||||
![]() | MSASC75H100FX/Tr | - - - | ![]() | 2027 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC75H100FX/Tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||
JantXV1N4582A-1/Tr | 11.6250 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4582A-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
1N4100-1 | 2.4750 | ![]() | 5642 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4100 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantXV1N2995RB | - - - | ![]() | 8509 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µA @ 35,8 V. | 47 v | 14 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n5521cur-1/Tr | 44.0363 | ![]() | 2607 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5521cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1,5 V | 4.3 v | 18 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N6330us/tr | 15.0600 | ![]() | 9066 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6330us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 14 v | 18 v | 14 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4922/tr | 20.2950 | ![]() | 1673 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -25 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4922/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19,2 v | 150 Ohm | ||||||||||||||
![]() | R3750 | 49.0050 | ![]() | 3623 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R3750 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5736c | 3.7200 | ![]() | 6630 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5736 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||
Jantxv1n980c-1 | 7.5750 | ![]() | 4074 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N980 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 47 V | 62 v | 185 Ohm | ||||||||||||
1n5246/tr | 4.1100 | ![]() | 6215 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5246/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 231 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 11.4 v | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 85HQ045 | 117.7800 | ![]() | 8723 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HQ045 | Schottky | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 85HQ045ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 740 mv @ 80 a | 2 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - - - | ||||||||||
![]() | JantX1N6490C | - - - | ![]() | 8899 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 1 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantX1N3049CUR-1 | - - - | ![]() | 9137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,5 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 121.6 V. | 160 v | 1100 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantX1N3040BUR-1 | 14.5800 | ![]() | 5971 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1n3040 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 51,7 V | 68 v | 150 Ohm | |||||||||||
![]() | ST3010E3 | 63,3000 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | ST3010 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-St3010e3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 15 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||
![]() | 1N5985ur-1 | 3.5850 | ![]() | 3710 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5985 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2136RA | 74.5200 | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2136ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 450 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 450 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - |
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