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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JantX1N5536C-1 | 19.5300 | ![]() | 1454 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5536 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N4583 | 8.9400 | ![]() | 5711 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4583 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDLL5231d | 8.4150 | ![]() | 5254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5231d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1N5535CUR-1 | 37.0200 | ![]() | 1926 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5535 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 100 Ohm | |||||||||
JANS1N4967DUS/Tr | 429.6722 | ![]() | 2507 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4967dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 18,2 V. | 24 v | 5 Ohm | |||||||||||
Jan1n4465dus | 33.4500 | ![]() | 6776 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4465 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 na @ 8 v | 10 v | 5 Ohm | ||||||||||
![]() | CDLL4706/Tr | 3.0989 | ![]() | 4000 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4706/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14.4 v | 19 v | |||||||||||
![]() | LSM315JE3/TR13 | 1.5450 | ![]() | 7028 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | LSM315 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 320 mv @ 3 a | 2 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||
![]() | HSM825J/TR13 | 2.0100 | ![]() | 2171 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HSM825 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 25 v | 620 mv @ 8 a | 250 µa @ 25 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||
![]() | Jan1N3996a | - - - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 1 V | 5.1 v | 1,1 Ohm | ||||||||||||
![]() | Janhca1n4618c | - - - | ![]() | 4960 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCA1N4618C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | 1500 Ohm | |||||||||||
1N4619C-1 | 5.2500 | ![]() | 1849 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4619c-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 Ohm | ||||||||||||
![]() | R4280 | 102.2400 | ![]() | 5934 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R4280 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - - - | ||||||||||
![]() | JantX1N2844RB | - - - | ![]() | 8191 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2844 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 121,6 V | 160 v | 80 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N6001d | 5.1900 | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6001 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.4 V. | 11 v | 18 Ohm | |||||||||
Jantxv1n4966us/tr | 14.2975 | ![]() | 9224 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4966us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 16,7 V | 22 v | 5 Ohm | |||||||||||
1n5248d | 9.7800 | ![]() | 2967 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5248d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||
![]() | JantX1N5188 | 10.8750 | ![]() | 2040 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/424 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5188 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 9 a | 250 ns | 2 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||
Jan1N4129D-1/Tr | 11.7838 | ![]() | 8461 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4129D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 47.1 V. | 62 v | 500 Ohm | ||||||||||||
1N4370A-1/Tr | 2.6850 | ![]() | 7295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4370a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 353 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | ||||||||||||
Jan1N4985CUS | 33.9450 | ![]() | 2314 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4985 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 98,8 V | 130 v | 190 Ohm | ||||||||||
JantXV1N4476CUS | 45.1350 | ![]() | 9957 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4476Cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 24 v | 30 v | 20 Ohm | ||||||||||||
![]() | JantX1N3022DUR-1 | - - - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||
JANS1N4470US | 91.8900 | ![]() | 8830 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 12,8 V. | 16 v | 10 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantX1N5543BUR-1 | 14.7600 | ![]() | 9223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5543 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 v | 25 v | 100 Ohm | |||||||||
![]() | JantXV1N984CUR-1 | 19.3800 | ![]() | 2957 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N984 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 69 V | 91 V | 400 Ohm | |||||||||
JANS1N6342C | 358.7400 | ![]() | 8000 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6342C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 43 v | 56 v | 100 Ohm | ||||||||||||
UZ8730 | 22.4400 | ![]() | 8962 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 1 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz8730 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 22,8 V. | 30 v | 40 Ohm | |||||||||||||
1N6663us/tr | 21.7650 | ![]() | 8416 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6663us/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | ||||||||||
![]() | 1N1360 | 44.3850 | ![]() | 4878 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | - - - | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N136 | 10 w | DO-203AA (DO-4) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1360 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 24 v | 3 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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