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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3319RB | 49.3800 | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3319 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 2,4 Ohm | ||||||||||||||
![]() | ST6040A | 78,9000 | ![]() | 3443 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | ST60 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-ST6040A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 400 V | 20a | 1 V @ 30 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
Jan1N5544C-1/Tr | 9.9351 | ![]() | 1620 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5544c-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.2 V. | 28 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N6632DUS/Tr | - - - | ![]() | 6869 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-JantX1N6632DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N3305RA | 49.3800 | ![]() | 7678 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3305 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 300 µa @ 4,5 V | 6,8 v | 0,2 Ohm | ||||||||||||||
Jantxv1n980b-1/tr | 2.7664 | ![]() | 3884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N980B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 47 V | 62 v | 185 Ohm | ||||||||||||||||
Jantxv1n4977c | 22.2000 | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4977c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 47,1 V | 62 v | 42 Ohm | |||||||||||||||||
JantXV1N3039D-1 | 36.2100 | ![]() | 4157 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3039 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 47,1 V | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||||||
1N4045 | 158.8200 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 300 a | 15 mA @ 100 v | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | |||||||||||||||
JantX1N970D-1/Tr | 6.4771 | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N970D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||||||
Jantx1n4968dus | - - - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 20,6 V | 27 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||
GC4996-12 | - - - | ![]() | 5548 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 2-smd, Flaches Blei | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4996-12 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4627C/Tr | 8.0550 | ![]() | 2851 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4627c/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 118 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 6.2 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CDS5521BUR-1/Tr | - - - | ![]() | 5692 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5521BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2976RB | - - - | ![]() | 7372 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2976 | 10 w | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 3 Ohm | ||||||||||||||
![]() | JANS1N6642UBD | 75.9150 | ![]() | 7328 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Standard | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1,2 V @ 100 mA | 5 ns | - - - | - - - | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N6023ur/tr | 3.7350 | ![]() | 8453 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | 150-1n6023ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 Ma | 91 V | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5224bur-1 | 2.8650 | ![]() | 7273 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5224 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 2,8 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
![]() | Jan1n3018ur-1/tr | 12.8850 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,5 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n3018ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 6,2 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n6334dus | 38.2200 | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6334dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 21 v | 27 v | 27 Ohm | ||||||||||||||||
JantX1N4110D-1/Tr | 17.1969 | ![]() | 4659 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4110D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12,2 V. | 16 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n6639us/tr | 10.2900 | ![]() | 4379 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/609 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, d | Standard | D-5d | - - - | 150-Jan1N6639us/Tr | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1,2 V @ 500 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | - - - | |||||||||||||||||
![]() | 1N751aur-1 | 3.0300 | ![]() | 8000 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N751 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | |||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4974dus/tr | 51.2700 | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantxv1n4974dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 35,8 V. | 47 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N4622 | 2.6250 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4622 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 3,9 v | 1650 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6332dus | 68.5500 | ![]() | 6958 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6332dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4125CE3/TR13 | 0,4950 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00125 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 35.75 V. | 47 v | 250 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Jantxv1n2984b | - - - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N4582aur-1/Tr | 11.2200 | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4582aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µa @ 3 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantX1N755aur-1 | 4.2600 | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | JantX1N755AUR-1MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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