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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n4116dur-1 | 36.0000 |  | 2838 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4116 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 18,3 V. | 24 v | 150 Ohm | ||||||||||||
 | Jantxv1N3824D-1/Tr | 32.2126 | | 9944 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N3824D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | |||||||||||||
 | JantX1N6353dus | - - - | | 3507 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 NA @ 122 V. | 151 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||
| JantXV1N5811URS/Tr | 25.4850 | | 7023 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantxv1n5811urs/tr | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||
 | MPP4206-206 | 3.6000 | | 2547 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Gigamite® | Tablett | Aktiv | - - - | 0402 (1005 Metrik) | MPP4206 | 0402 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MPP4206-206 | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 0,15PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 200V | 2,5 Ohm bei 10 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||
 | Jan1N4626D-1 | 12.0000 | | 2805 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4626 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 4 V | 5.6 v | 1400 Ohm | ||||||||||||
| Jantxv1n3029b-1/tr | 10.6799 | | 3282 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3029b-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | |||||||||||||
 | 1N4692 | 4.8811 | | 4154 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4692 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5,1 V | 6,8 v | ||||||||||||||
| Jan1N5546D-1 | 13.8000 | | 6039 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5546 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.7 V. | 33 v | 100 Ohm | ||||||||||||
| JantXV1N4614DUR-1/Tr | - - - | | 7751 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4614dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 3,5 µa @ 1 V | 1,8 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||
 | Jan1N4980us | 9.2100 | | 2185 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4980 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 62,2 V. | 82 v | 80 Ohm | ||||||||||||
| JantX1N4987CUS/Tr | 24.7500 | | 3029 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4987cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 121,6 V | 160 v | 350 Ohm | |||||||||||||||
 | CDLL4742/Tr | 3.2319 | | 7771 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4742/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||
| Jan1N3039D-1/Tr | 19.3515 | | 9143 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3039D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 47,1 V | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||||
| JantX1N972BUR-1/Tr | 5.5328 | | 7975 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N972BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | |||||||||||||
 | 1 PMT5929A/TR13 | 2.2200 | | 8788 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5929 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 8 Ohm | ||||||||||||
| JantXV1N3316RB | - - - | | 7024 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N3316RB | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 13 V | 17 v | 1,8 Ohm | |||||||||||||
| CDLL5544a/tr | 5.9052 | | 1678 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5544a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 23 v | 28 v | 100 Ohm | |||||||||||||
| Jan1n4494cus/tr | 26.9100 | | 1561 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jan1n4494cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 128 V. | 160 v | 1000 Ohm | |||||||||||||||
| JANS1N4105-1 | 33.7800 | | 4797 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2266-Jans1N4105-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8,5 V | 11 v | 200 Ohm | |||||||||||||
 | 1N5358ce3/TR8 | 3.3900 | | 3458 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5358 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 15,8 V. | 22 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||
| Jan1N983B-1/Tr | 2.1280 | | 4290 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N983B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 330 Ohm | |||||||||||||
| CD3154a | 13.5300 | | 9169 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD3154a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.4 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
| 1N6903UTK3CS | 259.3500 | | 1862 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6903utk3cs | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n6624us/tr | 14.3400 | | 5258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/585 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | 150-Jan1N6624us/Tr | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 900 V | 1,55 V @ 1 a | 60 ns | 500 NA @ 900 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||
 | SMBJ5918BE3/TR13 | 0,8850 | | 4524 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5918 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 4 Ohm | ||||||||||||
| 1N823-1 | 3.7350 | | 8970 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N823 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||
 | Jan1N4148UB2/Tr | 20.5352 | | 2595 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/116 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | Standard | UB2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4148UB2/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| 1N1346B | 45.3600 | | 1025 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1346 | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 30 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
| 1N5349/TR12 | 2.6250 | | 8245 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5349 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 8,6 V | 12 v | 2,5 Ohm |
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