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Dioden (34409)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
CD5251B	1.4497	RFQ	5767	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-CD5251b	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma		100 na @ 17 v				22 v	29 Ohm
Jan1N4622C-1/Tr	8.6317	RFQ	3574	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N4622C-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma		2,5 µa @ 2 V				3,9 v	1650 Ohm
UES1306SM/Tr	45.3900	RFQ	6748	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b		Standard		B, SQ-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-EES1306SM/Tr	Ear99	8541.10.0080	100	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	400 V		50 ns	20 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	5a	- - -
JantXV1N4976CUS	40.8900	RFQ	4280	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/356	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			5 w	E-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1N4976CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a		2 µA @ 42,6 V.				56 v	35 Ohm
CDLL825AE3	6.0300	RFQ	3471	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 4,84%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-cdll825ae3	Ear99	8541.10.0050	1					2 µa @ 3 V				6.2 v	10 Ohm
Janhca1n4116	13.2734	RFQ	1585	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1N4116	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma		10 Na @ 18.25 V.				24 v	150 Ohm
JantXV1N6346D	46.9200	RFQ	6167	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n6346d	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 a		50 na @ 62 v				82 v	220 Ohm
1N6911utk2as	259.3500	RFQ	6107	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Thinkey ™ 2		SIC (Silicon Carbide) Schottky		Thinkey ™ 2	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1n6911utk2as	Ear99	8541.10.0080	1	Keine Erholungszeit> 500 mA (IO)	30 v	540 mv @ 25 a		1,2 mA @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C.	25a	1250pf @ 5v, 1 MHz
Jantxv1n982bur-1	7.5600	RFQ	6420	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)	1N982		500 MW	Do-213aa	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 56 V				75 V	270 Ohm
JantX1N5620/Tr	6.0750	RFQ	4385	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/427	Band & Rollen (TR)	Aktiv			K. Loch	A, axial		Standard		A, axial	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jantx1n5620/Tr	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	800 V	1,3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	1a	- - -
Jankca1n754c	- - -	RFQ	9902	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1N754C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma		100 na @ 1 v				6,8 v	5 Ohm
R30430	49.0050	RFQ	5521	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-R30430			1
1N6012ur/tr	3.7400	RFQ	4295	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -					Ear99	8541.10.0050	264			1,1 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V				33 v	110 Ohm
CDLL4903A/Tr	184.4550	RFQ	7190	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-cdll4903a/tr	Ear99	8541.10.0050	1					15 µa @ 8 V				12,8 v	200 Ohm
1N3313RB	49.3800	RFQ	1164	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Chassis, Stollenberg	DO-203AB, DO-5, Stud	1N3313		50 w	Do-5	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 10 a		10 µa @ 11,4 V				14 v	1,2 Ohm
CDS5532B-1	- - -	RFQ	1495	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5532B-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANS1N4991CUS	277.2150	RFQ	8996	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/356	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, e			5 w	D-5b	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a		2 µa @ 182 V				240 V	650 Ohm
Jantxv1n4978cus	40.8900	RFQ	1084	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/356	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			5 w	E-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4978cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a		2 µa @ 51,7 V				68 v	50 Ohm
1N5529B-1/Tr	1.9950	RFQ	5626	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1n5529b-1/tr	Ear99	8541.10.0050	477			1,1 V @ 200 Ma		100 NA @ 8.2 V.				9.1 v	45 Ohm
CDLL4732/Tr	2.3408	RFQ	8324	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf				Do-213ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-cdll4732/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 Ma		10 µa @ 1 V				4,7 v	8 Ohm
SMBG5375BE3/TR13	1.1400	RFQ	3489	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	DO-215AA, SMB Möwenflügel	SMBG5375		5 w	SMBG (Do-215AA)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000			1,2 V @ 1 a		500 NA @ 59 V				82 v	65 Ohm
1N5248BUR-1E3/Tr	2.8728	RFQ	7254	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-1n5248bur-1e3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma		100 na @ 14 v				18 v	21 Ohm
Jantxv1n4483dus	56.4150	RFQ	4098	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a			1,5 w	D-5a	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4483dus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a		250 NA @ 44.8 V.				56 v	70 Ohm
JantXV1N4103D-1	28.9500	RFQ	9826	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N4103		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 7 V.				9.1 v	200 Ohm
Jantxv1n989c-1	- - -	RFQ	5143	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1			1,3 V @ 200 Ma		500 na @ 114 v				150 v	1500 Ohm
1N827E3	10.4850	RFQ	7022	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1n827e3	Ear99	8541.10.0050	1					2 µa @ 3 V				6.2 v	15 Ohm
1 PMT4131CE3/TR7	0,4950	RFQ	8218	Mikrochip -technologie	PowerMite®	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-216aa	13.pmt4131		1 w	Do-216	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000			1,1 V @ 200 Ma		10 Na @ 57 V				75 V	250 Ohm
Jan1N2834B	- - -	RFQ	8237	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-204ad	1N2834		10 w	To-204ad (to-3)	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 2 a		10 µA @ 51,7 V				68 v	8 Ohm
CDLL964B/Tr	4.1230	RFQ	5431	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf			500 MW	Do-213ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-cdll964b/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 9.9 V.				13 v	13 Ohm
Jankca1n5525c	- - -	RFQ	2307	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/437	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1n5525c	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma		1 µa @ 5 V				6.2 v	30 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (34409)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²