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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JantXV1N6346D | 46.9200 |  | 6167 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6346d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 62 v | 82 v | 220 Ohm | |||||||||||
 | CDS6857ur-1/Tr | - - - | | 9171 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS6857ur-1/Tr | 50 | |||||||||||||||||||||||
| Jan1N6764R | - - - | | 5874 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | Standard | To-254 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,05 V @ 12 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | - - - | 12a | 300PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||
 | Janhca1n4116 | 13.2734 | | 1585 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4116 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 18.25 V. | 24 v | 150 Ohm | ||||||||||
| 1N4571d/tr | - - - | | 3636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4571d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | JANS1N4956US/Tr | 108.9908 | | 6554 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4956us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 µa @ 6,2 V | 8.2 v | 1,5 Ohm | ||||||||||
 | Jantx1n4482/tr | 11.4114 | | 8883 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4482/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 40,8 V. | 51 v | 60 Ohm | ||||||||||
 | UES1306SM/Tr | 45.3900 | | 6748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-EES1306SM/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 50 ns | 20 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
| 1N6911utk2as | 259.3500 | | 6107 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6911utk2as | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 30 v | 540 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 1250pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||
 | CDLL825AE3 | 6.0300 | | 3471 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 4,84% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll825ae3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||
| Jantxv1n982bur-1 | 7.5600 | | 6420 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N982 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 56 V | 75 V | 270 Ohm | |||||||||
 | 1N3032B-1 | 8.1900 | | 8380 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3032 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 25,1 V | 33 v | 45 Ohm | |||||||||
 | 1 PMT4131CE3/TR7 | 0,4950 | | 8218 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.pmt4131 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 250 Ohm | |||||||||
| Jankca1n754c | - - - | | 9902 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N754C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 6,8 v | 5 Ohm | |||||||||||
| SMBG5375BE3/TR13 | 1.1400 | | 3489 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5375 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 59 V | 82 v | 65 Ohm | |||||||||
 | JantXV1N4976CUS | 40.8900 | | 4280 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4976CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 42,6 V. | 56 v | 35 Ohm | |||||||||||
 | Jantxv1n4971d | 23.4600 | | 6373 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4971d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 27,4 V. | 36 v | 11 Ohm | |||||||||||
| JANS1N4991CUS | 277.2150 | | 8996 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 182 V | 240 V | 650 Ohm | |||||||||||
| Jantxv1n4978cus | 40.8900 | | 1084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4978cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 51,7 V | 68 v | 50 Ohm | |||||||||||
| JantXV1N4103D-1 | 28.9500 | | 9826 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4103 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7 V. | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||
| 1N6940UTK3AS | 267.2850 | | 5482 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6940utk3as | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 500 mV @ 150 a | 5 ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 10000pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||
| 1 PMT5946CE3/TR7 | 0,7350 | | 9326 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5946 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 Ohm | |||||||||
 | UZ117 | 22.4400 | | 3815 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 3 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz117 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µa @ 129 V | 170 v | 750 Ohm | ||||||||||||
| Jan1N4622C-1/Tr | 8.6317 | | 3574 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4622C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2,5 µa @ 2 V | 3,9 v | 1650 Ohm | ||||||||||
 | Jantxv1n4483dus | 56.4150 | | 4098 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4483dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 44.8 V. | 56 v | 70 Ohm | |||||||||||
| CDLL4903A/Tr | 184.4550 | | 7190 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4903a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 12,8 v | 200 Ohm | |||||||||||
 | 1N3313RB | 49.3800 | | 1164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3313 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 11,4 V | 14 v | 1,2 Ohm | |||||||||
| JantXV1N4106C-1/Tr | 20.6815 | | 2042 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4106C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.2 V. | 12 v | 200 Ohm | ||||||||||
 | CD5251B | 1.4497 | | 5767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5251b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | ||||||||||
| 1N6012ur-1 | 3.5850 | | 6099 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6012 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 |
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