- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UM2106B | - - - |  | 6584 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um2106btr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 12 w | 2.5PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 600V | 2OHM @ 100 mA, 2 MHz | ||||||||||||||||||
| Umx512 | 6.4800 | | 125 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-umx512 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| UM9415 | - - - | | 7732 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um9415tr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 w | 4pf @ 0v, 100 MHz | Pin - Single | 50V | 1OHM @ 50 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| UM7201B | - - - | | 2407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7201btr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5,5 w | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 250 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| UM4001CR | - - - | | 9675 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Um4000 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um4001Crtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 25 w | 3PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 500mohm @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| UMX9501FMR | - - - | | 1015 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2-smd | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-umx9501fmr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 4 w | 0,9pf @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 150 v | 750 MOHM @ 50 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| UM7006B | - - - | | 4741 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7006btr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5,5 w | 0,9PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 600V | 1ohm @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| UM2106SM | - - - | | 1805 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | SQ-Melf | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um2106Smtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 w | 2.5PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 600V | 2OHM @ 100 mA, 2 MHz | ||||||||||||||||||
 | LXP1002-23-4/Tr | 5.4750 | | 5178 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | LXP1002 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0060 | 1.000 | 100 ma | 250 MW | 0,32PF @ 50V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | 4OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||
| UM7001E | - - - | | 1095 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Axial | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7001e | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1,5 w | 0,9PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 1ohm @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | JantX1N3022CUR-1 | 37.3500 | | 4335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3022 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||
 | JantXV1N5524D-1/Tr | 26.0414 | | 4957 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5524d-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 3,5 V | 5.6 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
| SMX0508-M1 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1208 (3020 Metrik) | M1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-SMX0508-M1TR | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 a | 0,9pf @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 500V | 400mohm @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| UM7010SM | - - - | | 6725 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | SQ-Melf | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7010Smtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 8 w | 0,9PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 1000V | 1ohm @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| 1N4705/tr | 3.6575 | | 2043 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4705/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 13.6 V. | 18 v | ||||||||||||||||
 | JantXV1N3036B-1 | 11.8800 | | 5133 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3036 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 35,8 V. | 47 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
 | Jantxv1n4468us | 19.5450 | | 6054 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4468 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.4 v | 13 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
 | CD4569a | 70.8000 | | 8237 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4569a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||
 | Jantx1n4964us | 9.8100 | | 2199 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4964 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 13,7 V | 18 v | 4 Ohm | ||||||||||||||
 | 1n5525dur-1 | 16.2000 | | 7815 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5525dur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 6.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
| JANS1N4119D-1 | 101.3100 | | 1751 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 21.3 V. | 28 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N6327 | 8.4150 | | 8065 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6327 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 NA @ 9.9 V. | 13 v | 8 Ohm | |||||||||||||||
| Jantx1n4488cus/tr | 34.4869 | | 7288 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4488cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 72.8 V. | 91 V | 200 Ohm | |||||||||||||||
| 1N6079us/tr | 36.7600 | | 5258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, c | Standard | D-5c | - - - | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,5 V @ 37,7 a | 30 ns | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 155 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||
| Jan1n5528bur-1 | 14.4600 | | 5103 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5528 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7,5 V. | 8.2 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
| Jan1N4148UBD/Tr | 26.5200 | | 9638 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150-Jan1N4148UBD/Tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT4129C/TR7 | - - - | | 3758 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00129 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 47.1 V. | 62 v | 250 Ohm | ||||||||||||||
 | Jan1N3046B-1 | - - - | | 2951 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115N | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-13 | 1 w | DO-13 (DO-202AA) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 91,2 V | 120 v | 550 Ohm | ||||||||||||||||
| 1n5253/tr | 4.4100 | | 5222 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5253/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 214 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 18.1 V. | 25 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||
 | JantXV1N6632DUS/Tr | - - - | | 8352 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-Jantxv1n6632dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)