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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANS1N4619UR-1 | 69.6150 |  | 3539 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 Ohm | |||||||||||||||||
 | Jantx1n3912a | - - - | | 7281 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,4 V @ 50 a | 150 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | |||||||||||||||
| JANS1N935BUR-1 | - - - | | 1852 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/156 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
| Jantx1n988dur-1/tr | - - - | | 1417 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | - - - | 150-Jantx1n988dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 99 V | 130 v | 1100 Ohm | |||||||||||||||||
| Jantxv1n4131cur-1/Tr | 25.6690 | | 3594 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4131cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | |||||||||||||||
 | 1n5999b/tr | 3.3117 | | 7719 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5999b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
 | 1N4996 | 42.7650 | | 2337 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 1N4996 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 297 V. | 390 v | 1800 Ohm | |||||||||||||||
 | Jantxv1n4968us/tr | 16.1250 | | 9617 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4968us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 20,6 V | 27 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N753aur-1 | 3.0300 | | 1480 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N753 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 3 Ohm | |||||||||||||||
| Jan1N4982 | 8.7300 | | 2788 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4982 | 5 w | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 76 V | 100 v | 110 Ohm | |||||||||||||||
| Jan1N6672 | - - - | | 9084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/617 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | Standard | To-254 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,55 V @ 20 a | 35 ns | 50 µa @ 240 V | - - - | 15a | 150pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||
| 1N4131ur | 3.7950 | | 2822 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4131 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | ||||||||||||||
 | 1N3314B | 49.3800 | | 1255 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3314 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 11,4 V | 15 v | 1,4 Ohm | ||||||||||||||
| Jan1n5530bur-1 | 14.4600 | | 9035 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5530 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.1 V. | 10 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
 | 1 PMT5940B/TR13 | 2.2200 | | 7968 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5940 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm | ||||||||||||||
| Jantxv1n4984d | 23.4600 | | 8313 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4984d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 91,2 V. | 120 v | 170 Ohm | ||||||||||||||||
 | JantX1N5534C-1/Tr | 17.0240 | | 2865 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N5534C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 12,6 V. | 14 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
 | Jan1N3826AUR-1/Tr | 12.4355 | | 4681 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3826AUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
| GC4723-79 | - - - | | 3483 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2-smd, Keine Frotung | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4723-79 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 w | 0,5PF @ 6v, 1 MHz | Pin - Single | 120 v | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | GC4902-12 | - - - | | 1991 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2-smd, Flaches Blei | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4902-12 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 0,025PF @ 10V, 2,2 GHz | Pin - Single | 100V | 3OHM @ 50 Ma, 2,2 GHz | |||||||||||||||||||
| Jan1N3027CUR-1 | 32.5950 | | 9688 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3027 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 22 Ohm | ||||||||||||||
| GC4490-30 | - - - | | 4442 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4490-30 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 ma | 0,1PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 750 V | 1,5OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| GC4713-31 | - - - | | 7128 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | - - - | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4713-31 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5 w | 0,5PF @ 6v, 1 MHz | Pin - Single | 45 V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| Jan1N4130D-1 | 13.1400 | | 4414 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4130 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 51,7 V. | 68 v | 700 Ohm | |||||||||||||||
| Janhca1N4132C | - - - | | 3532 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCA1N4132C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 62.32 V. | 82 v | 800 Ohm | ||||||||||||||||
| Jankca1n5534d | - - - | | 8524 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n5534d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 12,6 V. | 14 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
| CDLL5530D | 6.0914 | | 2809 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5530d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.1 V. | 10 v | 60 Ohm | |||||||||||||||
| GC4701-150A | - - - | | 6406 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4701-150atr | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 2 w | 0,15PF @ 6V, 1 MHz | Pin - Single | 20V | 1,5OHM @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n4992d | 63,9000 | | 6923 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 206 V | 270 v | 800 Ohm | ||||||||||||||||
 | UES1303SM-1/Tr | 38.7000 | | 2817 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard, Umgekehrte Polarität | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-EES1303SM-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1 V @ 8 a | 30 ns | 5 µa @ 150 V | - - - | 8a | - - - |
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