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Dioden (34409)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
1n5279be3	3.1800	RFQ	1574	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5279be3	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma	100 na @ 137 v				180 v	2200 Ohm
CD4100V	3.0900	RFQ	8199	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD4100V	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma	10 µa @ 5,7 V				7,5 v	200 Ohm
Jantxv1n4989dus	51.1200	RFQ	7257	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/356	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			5 w	E-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4989dus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a	2 µa @ 152 V				200 v	500 Ohm
UZ8824	22.4400	RFQ	5833	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial			1 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz8824	Ear99	8541.10.0050	1				500 NA @ 17.3 V.				24 v	25 Ohm
1N4714-1	3.9300	RFQ	5491	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4714-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	10 na @ 25 v				33 v
UZ5875	32.2650	RFQ	3110	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial			5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5875	Ear99	8541.10.0050	1				5 µa @ 54 V				75 V	55 Ohm
1N4112dur-1	9.4800	RFQ	4030	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4112dur-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	50 NA @ 13.7 V.				18 v	100 Ohm
Jankca1n4627d	- - -	RFQ	3919	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1n4627d	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	10 µa @ 5 V				6.2 v	1200 Ohm
Jan1N6350d	49.5300	RFQ	8224	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N6350d	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 a	50 na @ 91 V				120 v	600 Ohm
1N4780c	31.7100	RFQ	8542	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial			250 MW	Do-7	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4780c	Ear99	8541.10.0050	1				10 µa @ 6 V				8,5 v	100 Ohm
Jankca1n4107d	- - -	RFQ	7373	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1n4107d	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	50 NA @ 9.857 V.				13 v	200 Ohm
CDLL4099-1	3.7950	RFQ	3065	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll4099-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	10 µA @ 5,17 V.				6,8 v	200 Ohm
CDLL6637	14.7300	RFQ	9788	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll6637	Ear99	8541.10.0050	1
UFR8505	148.2150	RFQ	5935	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-UFR8505			1
1N1587	38.3850	RFQ	6727	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard		DO-4 (DO-203AA)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n1587	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	600 V	1,3 V @ 30 a	10 µa @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	3a	- - -
CDS756aur-1	- - -	RFQ	7314	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS756aur-1	Ear99	8541.10.0050	50
Jan1N4623D-1	11.9850	RFQ	6285	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N4623D-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	2 µa @ 2 V				4.3 v	1600 Ohm
S4320Ts	112.3200	RFQ	1719	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-205AA, DO-8, Stud		Standard		DO-205AA (DO-8)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-S4320Ts	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	200 v	1,1 V @ 200 a	50 µa @ 200 V.	-65 ° C ~ 200 ° C.	150a	- - -
CD5534BSBW	- - -	RFQ	1771	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD5534BSBW	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma	10 NA @ 12,6 V.				14 v	100 Ohm
CDLL5222C	6.7200	RFQ	4247	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5222c	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	100 µa @ 1 V				2,5 v	30 Ohm
Jantxv1n4962d	27.0600	RFQ	6071	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/356	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	E, axial			5 w	E, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4962d	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a	5 µa @ 11,4 V				15 v	3,5 Ohm
Jankca1n4100d	- - -	RFQ	9434	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1N4100D	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	10 µa @ 5,7 V				7,5 v	200 Ohm
1n3030c-1	16.7700	RFQ	5729	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial	1n3030		1 w	Do-41	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n3030c-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 Ma	10 µa @ 20,6 V				27 v	35 Ohm
Janhca1n4615d	- - -	RFQ	4854	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1N4615d	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	5 µa @ 1 V				2 v	1250 Ohm
1N5279b-1	3.1200	RFQ	7742	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5279b-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma	100 na @ 137 v				180 v	2200 Ohm
UZ5756	32.2650	RFQ	1600	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial			5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5756	Ear99	8541.10.0050	1				5 µA @ 42,6 V.				56 v	35 Ohm
1N5527	1.8150	RFQ	5396	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5527	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	500 na @ 6 v				7,5 v
CDLL5245D	6.9150	RFQ	8399	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5245d	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	100 na @ 11 v				15 v	16 Ohm
R4330il	102.2400	RFQ	4774	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-205AA, DO-8, Stud		Standard		DO-205AA (DO-8)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-r4330il	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	300 V	1,1 V @ 200 a	50 µa @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	150a	- - -
1N5529b-1	1.8150	RFQ	1662	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5529b-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	100 NA @ 8.2 V.				9.1 v	45 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (34409)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²