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Dioden (34409)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
1N4482d	22.1400	RFQ	4814	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial		1,5 w	Do-41	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4482d	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 a		50 NA @ 40,8 V.				51 v	60 Ohm
UFT5005a	94.8750	RFQ	7920	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-204aa, to-3	Standard		To-204aa (to-3)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Uft5005a	Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar -Gemeinsamer -Anode	100 v	50a	1 V @ 25 a	35 ns	15 µa @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
CDLL4957	11.1450	RFQ	1359	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll4957	Ear99	8541.10.0050	1
1N4100D-1	6.1500	RFQ	9316	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1N4100D-1	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		1 µa @ 5,7 V				7,5 v	200 Ohm
UZ727	22.4400	RFQ	5054	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial		3 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz727	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 20,6 V				27 v	12 Ohm
40CDQ035	78.7200	RFQ	5144	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-204aa, to-3	Schottky		To-204aa (to-3)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-40CDQ035	Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		35 V		700 mv @ 30 a		1,5 mA @ 35 V.	-65 ° C ~ 175 ° C.	30a	- - -
CDLL5241c	7.1400	RFQ	8971	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa		10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5241c	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		2 µa @ 8,4 V				11 v	22 Ohm
JantXV1N6329CUS	57.1050	RFQ	2563	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b		500 MW	B, SQ-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1N6329cus	Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 a		50 na @ 12 v				16 v	12 Ohm
1N5274	3.0750	RFQ	4905	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5274	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 200 Ma		100 na @ 94 v				130 v	1100 Ohm
60CDQ045	84.1950	RFQ	9246	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-204aa, to-3	Schottky		To-204aa (to-3)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-60CDQ045	Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		45 V		680 mv @ 30 a		1,2 mA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	30a	- - -
JANS1N4496CUS	283.8300	RFQ	3219	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5a	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N4496CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 a		250 NA @ 160 V				200 v	1500 Ohm
1N984B-1	2.0700	RFQ	1652	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n984b-1	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 69 V				91 V	400 Ohm
UZ5727	32.2650	RFQ	5633	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial		5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5727	Ear99	8541.10.0050	1							10 µa @ 20,6 V				27 v	6 Ohm
MSASC150W45LV	- - -	RFQ	8412	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Thinkey ™ 3	Schottky		Thinkey ™ 3	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-MSASC150W45LV	Ear99	8541.10.0080	100	SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		45 V		760 mv @ 150 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C.	150a	- - -
CD3047B	4.0650	RFQ	1227	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD3047B	Ear99	8541.10.0050	1
Jantxv1n4462Cus	30.8850	RFQ	7199	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5a	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4462Cus	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 a		1 µA @ 4,5 V.				7,5 v	2,5 Ohm
CD4751	2.0700	RFQ	7065	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben		1 w	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD4751	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 200 Ma		100 NA @ 22,8 V.				30 v	40 Ohm
1N4614	3.4350	RFQ	8317	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial		500 MW	Do-7	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4614	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		7,5 µa @ 1 V				1,8 v	1200 Ohm
UZ5214	32.2650	RFQ	4569	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial		5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5214	Ear99	8541.10.0050	1							5 µa @ 101 V				140 v	230 Ohm
UZ8710	22.4400	RFQ	3080	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial		1 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz8710	Ear99	8541.10.0050	1							2 µa @ 7,6 V				10 v	7 Ohm
JantXV1N6332CUS	57.1050	RFQ	8401	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b		500 MW	B, SQ-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1N6332Cus	Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 a		50 na @ 17 v				22 v	20 Ohm
1N959a	2.7150	RFQ	3258	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial		500 MW	Do-7	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n959a	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		50 µa @ 6,2 V				8.2 v	6,5 Ohm
UZ5716	32.2650	RFQ	6111	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial		5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5716	Ear99	8541.10.0050	1							10 µa @ 12,2 V				16 v	3,5 Ohm
JANS1N6348D	350.3400	RFQ	7588	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N6348d	Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 a		50 na @ 76 V				100 v	340 Ohm
S53150Ts	158.8200	RFQ	8283	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-S53150Ts			1
UZ856	22.4400	RFQ	4007	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial		3 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz856	Ear99	8541.10.0050	1
JantX1N6339cus	39.7950	RFQ	1644	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b		500 MW	B, SQ-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-JantX1N6339CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 a		50 na @ 33 v				43 v	65 Ohm
UZ5810	32.2650	RFQ	8960	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial		5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5810	Ear99	8541.10.0050	1							75 µa bei 7,6 V				10 v	2 Ohm
Jankca1n4127c	- - -	RFQ	9422	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben		500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1N4127c	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 42.6 V.				56 v	300 Ohm
CDS5522BUR-1	- - -	RFQ	6737	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5522BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (34409)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²