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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JantXV1N4623D-1/Tr | 18.6300 |  | 6829 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4623D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 4.3 v | 1600 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N3622R | 44.1600 | | 9408 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3622r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 50 a | 1 mA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | |||||||||||||||
| 1N5254B-1/Tr | 4.4100 | | 7834 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5254b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 214 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | ||||||||||||||||
 | Jan1N985BUR-1/Tr | 4.0831 | | 4971 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N985BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 76 V | 100 v | 500 Ohm | |||||||||||||||
| 698-4 | - - - | | 1219 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Flatpack | Standard | Ga | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-698-4 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 400 V | 2.25 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||||
 | 1 PMT4104C/TR13 | - - - | | 3074 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00 UHR 4104 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7,6 V | 10 v | 200 Ohm | ||||||||||||||
| JANS1N4624-1/Tr | 55.5200 | | 5436 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4624-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 4,7 v | 1,55 Ohm | |||||||||||||||
| SMBG5373A/TR13 | 2.2200 | | 4676 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5373 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 49 V | 68 v | 44 Ohm | ||||||||||||||
| 1N4532 | 2.3250 | | 7945 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 1N4532 | Standard | Do-34 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 10 mA | 30 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 125 Ma | - - - | ||||||||||||
| 1 PMT5943CE3/TR7 | 0,7350 | | 7580 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5943 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | ||||||||||||||
| JantX1N5531CUR-1/Tr | 33.6357 | | 7057 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5531cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.9 V. | 11 v | 80 Ohm | |||||||||||||||
| Janhca1n985d | - - - | | 6606 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n985d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,3 V @ 200 Ma | 5 µa @ 76 V | 100 v | 500 Ohm | ||||||||||||||||
| MSASC150H100LS/Tr | - - - | | 8582 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC150H100LS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | LXS101-143-5 | 6.7350 | | 5554 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | LXS101 | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-LXS101-143-5 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 a | 250 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 8v | - - - | |||||||||||||||
| 1N4562RB | 74.3550 | | 2097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N4562 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 20 µa @ 2 V | 6.2 v | 0,14 Ohm | ||||||||||||||
| JANS1N4475/Tr | 80.1900 | | 8135 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4475/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 21.6 v | 27 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||
 | JantX1N6313dus | 55.6050 | | 9592 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6313 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 25 Ohm | |||||||||||||||
| Jan1N6941utk3 | - - - | | 6447 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 7500PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | Jan1N3026D-1 | 21.6750 | | 6433 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3026 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 13,7 V | 18 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
 | CDLL4127/Tr | 3.3516 | | 4817 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4127/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm | |||||||||||||||
| 1 PMT5931BE3/TR7 | 0,7500 | | 2085 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5931 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | ||||||||||||||
| Jan1N3008RB | - - - | | 8097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 91,2 V | 120 v | 75 Ohm | ||||||||||||||||
| CD5237BV | 3.6150 | | 8902 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5237BV | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
| JantX1N4117C-1/Tr | 12.1695 | | 8254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4117C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150 Ohm | |||||||||||||||
| 1N3028BUR-1/Tr | 15.4500 | | 1359 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||||
| CDll3020b/tr | 14.4571 | | 5447 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll3020b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
| JANS1N4133D-1/Tr | 94.7000 | | 6694 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4133D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 66,2 V. | 87 v | 1 Ohm | |||||||||||||||
| 1 PMT5937BE3/TR7 | 0,7350 | | 5402 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5937 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 25,1 V. | 33 v | 33 Ohm | ||||||||||||||
| JANS1N5968D | - - - | | 5873 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 ma @ 4.28 v | 5.6 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||
| JANS1N4977US/Tr | 92.1900 | | 7853 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jans1n4977us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 47,1 V | 62 v | 42 Ohm |
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