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Dioden (34409)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Diodentyp	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
R306060f	49.0050	RFQ	4898	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-R306060F			1
CDS3827A-1	- - -	RFQ	4793	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS3827A-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N5116SM	27.0900	RFQ	7334	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a			3 w	A, SQ-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5116SM	Ear99	8541.10.0050	1
UES1305E3	30.5850	RFQ	2391	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	B, axial		Standard		B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-EES1305E3	Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		300 V		1,25 V @ 3 a	50 ns	20 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	3a	- - -
1N5522c	11.3550	RFQ	7623	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5522c	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		2 µa @ 2 V					4,7 v	22 Ohm
Jankca1n4370d	- - -	RFQ	8140	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1n4370d	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 Ma		100 µa @ 1 V					2,4 v	30 Ohm
SBR6030	148.2150	RFQ	8946	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-203AB, DO-5, Stud		Schottky		DO-203AB (DO-5)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-SBR6030	Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		30 v		480 mv @ 60 a		5 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C.	60a	- - -
UZ5222	32.2650	RFQ	3575	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial			5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5222	Ear99	8541.10.0050	1							5 µa @ 158 V					220 V	550 Ohm
Jankca1n4129c	- - -	RFQ	3924	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1N4129c	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 47.1 V.					62 v	500 Ohm
1N3783	38.6100	RFQ	4778	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial			400 MW	Do-7	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n3783	Ear99	8541.10.0050	1												6.7 v	10 Ohm
UZ8220	22.4400	RFQ	2862	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial			1 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz8220	Ear99	8541.10.0050	1							500 na @ 144 v					200 v	1500 Ohm
1N4484c	17.7000	RFQ	8839	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial			1,5 w	Do-41	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4484c	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 a		250 NA @ 49.6 V.					62 v	80 Ohm
UZ8807	22.4400	RFQ	1744	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial			1 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz8807	Ear99	8541.10.0050	1							30 µA @ 5,4 V					7,5 v	4 Ohm
1N987BUR-1	5.3850	RFQ	6940	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			400 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n987bur-1	Ear99	8541.10.0050	1					1,3 V @ 200 Ma		500 NA @ 91 V					120 v	900 Ohm
CD4689c	- - -	RFQ	1133	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD4689c	Ear99	8541.10.0050	179					1,5 V @ 200 Ma		10 µa @ 3 V					5.1 v
UZ818	- - -	RFQ	3197	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial			3 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz818	Ear99	8541.10.0050	100
JantXV1N4148UBCDP	33.6490	RFQ	9409	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/116	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	3-smd, Keine Frotung		Standard		UBC	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1N4148UBCDP	Ear99	8541.10.0070	1	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit		75 V		1,2 V @ 100 mA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	200 ma	4PF @ 0V, 1MHz
Jantxv1n4966d	22.6200	RFQ	3541	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/356	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	E, axial			5 w	E, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4966d	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 a		2 µa @ 16,7 V					22 v	5 Ohm
1N4626d	6.5700	RFQ	8852	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial			500 MW	Do-7	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4626d	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		10 µa @ 4 V.					5.6 v	1400 Ohm
UZ118	22.4400	RFQ	5126	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial			3 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz118	Ear99	8541.10.0050	1							1 µa @ 137 V					180 v	850 Ohm
UZ8814	22.4400	RFQ	5567	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial			1 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz8814	Ear99	8541.10.0050	1							500 NA @ 10.1 V.					14 v	12 Ohm
1N5081SM	27.0900	RFQ	8137	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a			3 w	A, SQ-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5081SM	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 30,4 V.					40 v	27 Ohm
CDLL5545D	16.2000	RFQ	7108	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5545d	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		10 na @ 27 v					30 v	100 Ohm
CD4127C	- - -	RFQ	8059	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD4127C	Ear99	8541.10.0050	305					1,5 V @ 200 Ma		10 NA @ 42.6 V.					56 v	300 Ohm
689-4d	280.3200	RFQ	1949	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Chassis -berg	Nd	689-4	Standard		Nd	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-689-4d	Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Serie Verbindung	400 V	15a	1,2 V @ 10 a	500 ns	10 µa @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
469-5	- - -	RFQ	4676	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/469	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	4 Quadratmeter		Silziumcarbide Schottky		Md	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-469-5	Ear99	8541.10.0080	100											Einphase
S3210	49.0050	RFQ	9839	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-S3210			1
JANS1N4492D	343.5150	RFQ	9490	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial			1,5 w	Do-41	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1n4492d	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 a		250 na @ 104 v					130 v	500 Ohm
CDLL5270c	6.7200	RFQ	8300	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5270c	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		100 na @ 69 V					91 V	400 Ohm
1n2066	158.8200	RFQ	9826	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	Do-205AB, Do-9, Stud		Standard		DO-205AB (DO-9)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n2066	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)		800 V		1,3 V @ 300 a		75 µa @ 800 V	-65 ° C ~ 190 ° C.	275a	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (34409)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²