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Dioden (34409)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
CDS5522B-1	- - -	RFQ	9276	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5522B-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N4612a	15.9600	RFQ	3035	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4612a	Ear99	8541.10.0050	1
Jantxv1n3821c-1	25.4250	RFQ	7685	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/115	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial		1 w	Do-41	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n3821c-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 Ma		100 µa @ 1 V				3.3 v	10 Ohm
CDS5240D-1	- - -	RFQ	9901	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5240D-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL6351	14.6400	RFQ	1529	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll6351	Ear99	8541.10.0050	1
JantX1N6348C	29.2350	RFQ	7913	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantx1N6348c	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 a		50 na @ 76 V				100 v	340 Ohm
Jan1N6341d	49.5300	RFQ	3276	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N6341d	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 a		50 na @ 39 V				51 v	85 Ohm
CDS5522D-1	- - -	RFQ	9976	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5522D-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDS5522BUR-1	- - -	RFQ	6737	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5522BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N2137R	74.5200	RFQ	3804	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-203AB, DO-5, Stud	Standard, Umgekehrte Polarität		DO-5 (DO-203AB)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n2137r	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	500 V	1,25 V @ 200 a		25 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	70a	- - -
1N2794	74.5200	RFQ	4593	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-203AB, DO-5, Stud	Standard		DO-5 (DO-203AB)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n2794	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	100 v	1,19 V @ 90 a	5 µs	10 µa @ 100 V.	-65 ° C ~ 200 ° C.	5a	- - -
Jankca1N4614C	- - -	RFQ	7379	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben		500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1N4614C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma		7,5 µa @ 1 V				1,8 v	1200 Ohm
JantXV1N3828C-1	25.4250	RFQ	2958	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/115	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial		1 w	Do-41	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n3828c-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 Ma		3 µa @ 3 V				6.2 v	2 Ohm
Jantxv1n4484cus	45.1350	RFQ	8432	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5a	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4484cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a		250 NA @ 49.6 V.				62 v	80 Ohm
CD4770	12.4650	RFQ	4413	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD4770	Ear99	8541.10.0050	1									9.1 v	200 Ohm
1N984B-1	2.0700	RFQ	1652	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n984b-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 69 V				91 V	400 Ohm
UZ5727	32.2650	RFQ	5633	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial		5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5727	Ear99	8541.10.0050	1					10 µa @ 20,6 V				27 v	6 Ohm
MSASC150W45LV	- - -	RFQ	8412	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Thinkey ™ 3	Schottky		Thinkey ™ 3	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-MSASC150W45LV	Ear99	8541.10.0080	100	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	45 V	760 mv @ 150 a		1 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C.	150a	- - -
CD3047B	4.0650	RFQ	1227	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD3047B	Ear99	8541.10.0050	1
Jantxv1n4462Cus	30.8850	RFQ	7199	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a		1,5 w	D-5a	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4462Cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a		1 µA @ 4,5 V.				7,5 v	2,5 Ohm
CD4751	2.0700	RFQ	7065	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben		1 w	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD4751	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma		100 NA @ 22,8 V.				30 v	40 Ohm
UZ5111	32.2650	RFQ	9006	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial		5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-UZ5111	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 83,6 V				110 v	125 Ohm
CD4371	2.6250	RFQ	1054	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben		500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CD4371	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma		75 µa @ 1 V				2,7 v	30 Ohm
1N4614	3.4350	RFQ	8317	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial		500 MW	Do-7	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4614	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma		7,5 µa @ 1 V				1,8 v	1200 Ohm
Janhca1n5537c	- - -	RFQ	6878	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/437	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-JanHCA1N5537C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 15.3 V.				17 v	100 Ohm
S307020f	49.0050	RFQ	9762	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-S307020f			1
UZ5214	32.2650	RFQ	4569	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	B, axial		5 w	B, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz5214	Ear99	8541.10.0050	1					5 µa @ 101 V				140 v	230 Ohm
UZ8710	22.4400	RFQ	3080	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial		1 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz8710	Ear99	8541.10.0050	1					2 µa @ 7,6 V				10 v	7 Ohm
1N4742	3.1350	RFQ	2040	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial		1 w	Do-41	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4742	Ear99	8541.10.0050	1			1,2 V @ 200 Ma		5 µa @ 9,1 V				12 v	9 Ohm
1N3784	38.6100	RFQ	1391	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial		400 MW	Do-7	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n3784	Ear99	8541.10.0050	1									6.7 v	10 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (34409)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²