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Dioden (34409)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
1n2248a	44.1600	RFQ	1623	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-203AA, DO-4, Stud		Standard		DO-4 (DO-203AA)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n2248a	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	100 v	1,2 V @ 30 a	10 µa @ 100 V.	-65 ° C ~ 200 ° C.	22a	- - -
CDLL5250D	8.4150	RFQ	4444	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5250d	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	100 na @ 15 V				20 v	25 Ohm
Janhca1n4132d	- - -	RFQ	4615	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1N4132d	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	10 NA @ 62.32 V.				82 v	800 Ohm
JantXV1N4485CUS	45.1350	RFQ	2115	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a			1,5 w	D-5a	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n4485Cus	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 1 a	250 NA @ 54.4 V.				68 v	100 Ohm
1N5131	22.4700	RFQ	6361	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	K. Loch	E, axial			5 w	E, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5131	Ear99	8541.10.0050	1								320 v	1100 Ohm
Janhca1n968d	- - -	RFQ	2677	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1n968d	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	5 µA @ 15,2 V				20 v	25 Ohm
Janhca1n4117d	- - -	RFQ	8521	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1N4117d	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	10 na @ 19 V				25 v	150 Ohm
UZ720SM	32.8350	RFQ	4703	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a			3 w	A, SQ-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-UZ720SM	Ear99	8541.10.0050	1
1N4568	6.1200	RFQ	4945	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial			500 MW	Do-7	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4568	Ear99	8541.10.0050	1				2 µa @ 3 V				6.4 v	200 Ohm
Janhca1n4103c	- - -	RFQ	7404	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-JanHCA1N4103C	Ear99	8541.10.0050	100			1,1 V @ 200 Ma	1 µA @ 6,92 V				9.1 v	200 Ohm
1N6893UTK1	259.3500	RFQ	6596	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n6893utk1			1
CDLL5257d	8.4150	RFQ	8410	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5257d	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	100 Na @ 25 V.				33 v	58 Ohm
CDLL5279A	3.5850	RFQ	5708	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa				Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5279a	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	100 na @ 130 V				180 v	2200 Ohm
CDLL5240C	6.7200	RFQ	6438	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5240c	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	3 µa @ 8 V				10 v	17 Ohm
CDLL5239D	8.4150	RFQ	4477	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			10 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5239d	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	3 µa @ 7 V.				9.1 v	10 Ohm
UZ8120	22.4400	RFQ	8049	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	A, axial			1 w	A, axial	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-uz8120	Ear99	8541.10.0050	1				500 NA @ 152 V.				200 v	1500 Ohm
1N5276	3.1950	RFQ	8790	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5276	Ear99	8541.10.0050	1			1,5 V @ 200 Ma	100 NA @ 108 V.				150 v	1500 Ohm
CDLL5538C	12.1950	RFQ	9890	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5538c	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	10 NA @ 16.2 V.				18 v	100 Ohm
JantX1N6348CUS	39.7950	RFQ	2725	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			500 MW	B, SQ-Melf	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-JantX1N6348CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1,4 V @ 1 a	50 na @ 76 V				100 v	340 Ohm
CDLL4959	11.1450	RFQ	8001	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cdll4959	Ear99	8541.10.0050	1
CDS5526B-1	- - -	RFQ	2143	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5526B-1	Ear99	8541.10.0050	50
MNS1N4568DUR-1	108.4050	RFQ	8953	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150 Mns1n4568dur-1	Ear99	8541.10.0050	1				2 µa @ 3 V				6.4 v	200 Ohm
CD750D	- - -	RFQ	5513	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW	Sterben	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-cd750d	Ear99	8541.10.0050	223			1,5 V @ 200 Ma	5 µa @ 1,5 V				4,7 v	19 Ohm
R504100Ts	158.8200	RFQ	7960	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	Do-205AB, Do-9, Stud		Standard, Umgekehrte Polarität		DO-205AB (DO-9)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-R504100Ts	Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	1000 v	1,25 V @ 1000 a	75 µa @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	300a	- - -
1N1367	44.3850	RFQ	8806	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	- - -	Bolzenhalterung	DO-203AA, DO-4, Stud	1N136		10 w	DO-203AA (DO-4)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n1367	Ear99	8541.10.0050	1								47 v	7 Ohm
1N5989	1.9950	RFQ	8924	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n5989	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	50 µA @ 500 mV				3.6 V	95 Ohm
1N4371A-1	2.6400	RFQ	4812	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	UnberÜHrt Ereichen	150-1n4371a-1	Ear99	8541.10.0050	1			1,1 V @ 200 Ma	75 µa @ 1 V				2,7 v	30 Ohm
1N935A-1	5.5350	RFQ	3461	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n935a-1	Ear99	8541.10.0050	1								9 v	20 Ohm
1n824ae3	3.9150	RFQ	3523	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-1n824ae3	Ear99	8541.10.0050	1				2 µa @ 3 V				6.2 v	15 Ohm
CDS3029B-1	- - -	RFQ	7911	Mikrochip -technologie	*	Schüttgut	Aktiv									- - -	UnberÜHrt Ereichen	150-CDS3029B-1	Ear99	8541.10.0050	50

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (34409)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²