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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5711UBCA | 31.9050 | ![]() | 5926 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1N5711 | Schottky | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N5712ur-1 | 12.1050 | ![]() | 7953 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5712 | Schottky | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 16 v | 1 V @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1n5913c | 6.0300 | ![]() | 2412 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5913 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5915a | 3.0300 | ![]() | 7316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5915 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 7,5 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5916d | 7.5450 | ![]() | 9802 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5916 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 6 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5933a | 3.0300 | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5933 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5936d | 8.2950 | ![]() | 6172 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5936 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 22,8 V. | 30 v | 28 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5938a | 3.4050 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5938 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 27,4 V | 36 v | 38 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5938d | 8.2950 | ![]() | 3764 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5938 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 27,4 V | 36 v | 38 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5943b | 3.4050 | ![]() | 7678 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5943 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5953d | 7.5450 | ![]() | 8360 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5953 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 114 V | 150 v | 600 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5955a | 3.4050 | ![]() | 1203 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5955 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 136,8 V. | 180 v | 900 Ohm | ||||||||||
![]() | 1n5985ur | 3.5850 | ![]() | 6672 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5985 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n5987ur | 3.5850 | ![]() | 7726 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5987 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n5990ur | 3.5850 | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5990 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5991ur-1 | 3.5850 | ![]() | 2953 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5991 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n5995ur | 3.5850 | ![]() | 1296 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5995 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n5996ur | 3.5850 | ![]() | 3029 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5996 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n5997ur | 3.5850 | ![]() | 6167 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5997 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5997ur-1 | 3.5850 | ![]() | 6831 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5997 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N6001ur-1 | 3.5850 | ![]() | 4146 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6001 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N6003ur | 3.5850 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6003 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MQSPB25 | 613.7550 | ![]() | 4769 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4438 | 204.6750 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 160 ° C (TA) | Chassis, Stollenberg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 10 a | 10 µa @ 600 V | 10 a | Einphase | 600 V | |||||||||||
![]() | 1N6777 | 302.0100 | ![]() | 5736 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Standard | To-257 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 15 a | 35 ns | 10 µa @ 800 mV | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 300PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||
![]() | JANS1N6330 | 114.5850 | ![]() | 4705 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 14 v | 18 v | 14 Ohm | |||||||||||
![]() | JANS1N6345 | 140.1300 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 56 v | 75 V | 180 Ohm | |||||||||||
JANS1N821-1 | 102.6900 | ![]() | 5953 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantXV1N6488C | - - - | ![]() | 1855 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1N6632d | - - - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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