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Dioden (34409)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
1N5250BUR-1 Microchip Technology 1N5250bur-1 2.8650
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5250 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 15 V 20 v 25 Ohm
1N5253A Microchip Technology 1N5253a 4.2300
RFQ
 ECAD 6868 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5253 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 19 V 25 v 35 Ohm
1N5258BUR-1 Microchip Technology 1N5258bur-1 2.8650
RFQ
 ECAD 5485 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5258 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 27 V 36 v 70 Ohm
1N5264BUR-1 Microchip Technology 1N5264bur-1 3.5850
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5264 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 46 v 60 v 170 Ohm
1N5269A Microchip Technology 1N5269a 2.8350
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5269 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 100 NA @ 68 V. 87 v 370 Ohm
1N5276BUR-1 Microchip Technology 1N5276bur-1 5.1900
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5276 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 114 v 150 v 1500 Ohm
1N5518B Microchip Technology 1N5518B 2.7150
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5518 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 3.3 v 26 Ohm
1N5518BUR-1 Microchip Technology 1N5518BUR-1 6.4800
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5518 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 3.3 v 26 Ohm
1N5519B Microchip Technology 1n5519b 1.8150
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5519 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 3 µa @ 1 V 3.6 V 24 Ohm
1N5527B Microchip Technology 1n5527b 1.8150
RFQ
 ECAD 2472 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5527 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 6.8 V. 7,5 v 35 Ohm
1N5527BUR-1 Microchip Technology 1N5527bur-1 6.4800
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5527 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 6.8 V. 7,5 v 35 Ohm
1N5529BUR-1 Microchip Technology 1N5529bur-1 4.9200
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5529 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 NA @ 8.2 V. 9.1 v 45 Ohm
1N5530B Microchip Technology 1n5530b 3.4350
RFQ
 ECAD 9100 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5530 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 9.1 V. 10 v 60 Ohm
1N5531BUR-1 Microchip Technology 1N5531bur-1 6.4800
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5531 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 9.9 V. 11 v 80 Ohm
1N5540BUR-1 Microchip Technology 1N5540BUR-1 6.4800
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N5540 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 18 v 20 v 100 Ohm
JANTX1N4483US Microchip Technology Jantx1n4483us 14.3550
RFQ
 ECAD 5509 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w A, SQ-Melf - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 250 NA @ 44.8 V. 56 v 70 Ohm
JANTXV1N4625DUR-1 Microchip Technology JantXV1N4625DUR-1 39.2250
RFQ
 ECAD 9134 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 3 V 5.1 v 1500 Ohm
1N6012UR Microchip Technology 1N6012ur 3.5850
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 1N6012 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
1N6312US Microchip Technology 1N6312us 14.6400
RFQ
 ECAD 1991 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 1N6312 500 MW B, SQ-Melf Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 5 µa @ 1 V 3.3 v 27 Ohm
1N6315US Microchip Technology 1N6315us 14.4600
RFQ
 ECAD 7185 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 1N6315 500 MW B, SQ-Melf Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 2 µa @ 1 V 4.3 v 20 Ohm
1N6322US Microchip Technology 1N6322us 14.6400
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 1N6322 500 MW B, SQ-Melf Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 1 µa @ 6 V 8.2 v 5 Ohm
1N6323 Microchip Technology 1N6323 8.4150
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch B, axial 1N6323 500 MW B, axial Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 1 µa @ 7 V. 9.1 v 6 Ohm
1N6325 Microchip Technology 1N6325 8.4150
RFQ
 ECAD 1567 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6325 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 1 µA @ 8,5 V. 11 v 7 Ohm
1N6339US Microchip Technology 1N6339us 14.6400
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 1N6339 500 MW B, SQ-Melf Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 33 v 43 v 65 Ohm
1N6340 Microchip Technology 1N6340 8.4150
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch B, axial 1N6340 500 MW B, axial Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 36 v 47 v 75 Ohm
1N6343 Microchip Technology 1N6343 8.4150
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch B, axial 1N6343 500 MW B, axial Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 47 V 62 v 125 Ohm
1N6348 Microchip Technology 1N6348 8.4150
RFQ
 ECAD 3733 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6348 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 76 V 100 v 340 Ohm
1N6351US Microchip Technology 1N6351us 14.7750
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 1N6351 500 MW B, SQ-Melf Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 99 V 130 v 850 Ohm
1N7053-1 Microchip Technology 1N7053-1 7.1700
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% - - - K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N7053 250 MW Do-7 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 4,8 v 35 Ohm
1N747AUR-1 Microchip Technology 1N747AUR-1 3.0300
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 1N747 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 3 µa @ 1 V 3.6 V 22 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

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