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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JantX1N6768 | - - - | ![]() | 2225 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Standard | To-257 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,06 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 40 V | - - - | 8a | 150pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||
![]() | S36110 | 61.1550 | ![]() | 5715 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S36110 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4120dur-1/Tr | 32.0663 | ![]() | 8693 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4120dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | 200 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N5545BUR-1/Tr | 6.6300 | ![]() | 3619 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 146 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 v | 30 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | R3560 | 42,3000 | ![]() | 4791 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | R3560 | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | |||||||||
JANS1N6353CUS/Tr | - - - | ![]() | 5331 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jans1N6353CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 NA @ 122 V. | 160 v | 1200 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n4550b | - - - | ![]() | 8499 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 150 µA @ 500 mV | 4.3 v | 0,16 Ohm | |||||||||||
Jan1N3018B-1 | 7.6500 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n3018 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 150 µa @ 5,2 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | ||||||||||
JANS1N4959C | 415.7700 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4959c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n3891ar | 474.2850 | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/304 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 38 a | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 115PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | JantX1N4099ur-1/Tr | 9.5627 | ![]() | 4062 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4099ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.17 V. | 6,8 v | 200 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N4734AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 3945 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4734 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||
![]() | Jan1N3012RB | 435.8700 | ![]() | 9819 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 121,6 V | 160 v | 200 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5929BPE3/TR12 | 0,9450 | ![]() | 7427 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5929 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 9 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4571d | - - - | ![]() | 5163 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1n827aur/tr | 10.4400 | ![]() | 8539 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
UZ808 | 22.4400 | ![]() | 8019 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 3 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz808 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N4129DUR-1/Tr | 27.0921 | ![]() | 5213 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4129dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 47.1 V. | 62 v | 500 Ohm | ||||||||||
![]() | JantX1N3049C-1 | - - - | ![]() | 1603 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | UFS505JE3/TR13 | 1.8750 | ![]() | 4683 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | UFS505 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N649ur-1/Tr | - - - | ![]() | 1723 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n649ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 600 V | |||||||||||||||
JantX1N4625C-1/Tr | 9.1770 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4625C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 3 V | 5.1 v | 1500 Ohm | ||||||||||||
Jantx1n5416us | 11.5500 | ![]() | 2680 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N5416 | Standard | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||
1N825E3 | 5.4750 | ![]() | 5114 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N825 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1n825e3ms | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 5.9 v | 15 Ohm | |||||||||||
Jantxv1n4481us/tr | 15.7738 | ![]() | 6693 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4481us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 37,6 V. | 47 v | 50 Ohm | |||||||||||
Jan1N4975CUS/Tr | 21.0273 | ![]() | 3430 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4975CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 38,8 V. | 51 v | 27 Ohm | |||||||||||
![]() | JantX1N6628 | 17.5500 | ![]() | 2137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/590 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | E, axial | 1N6628 | Standard | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 660 V | 1,35 V @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.75a | 40pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1 PMT4111E3/TR13 | 0,4950 | ![]() | 6137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.pmt4111 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12.92 V. | 17 v | 100 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4683ur-1/tr | 5.2400 | ![]() | 2825 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 186 | 1,5 V @ 100 mA | 800 na @ 1 v | 3 v | ||||||||||||||
![]() | JantX1N5712UBCA | 103.7700 | ![]() | 9149 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 16 v | 1 V @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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