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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL4624D | 8.5050 | ![]() | 5761 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | CDLL4624 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CDLL4624DMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
![]() | CDS5524CUR-1 | 471.0150 | ![]() | 6409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | CDS5524 | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | CDS5524CUR-1MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CDLL938B | 16.6050 | ![]() | 4473 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL938 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9.45 v | 20 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL941 | 4.6350 | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL941 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL942B | 13.0200 | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDLL942 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDll943a | 69.0000 | ![]() | 8386 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDLL943 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4478 | 6.1500 | ![]() | 7651 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N4478 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2266-Jan1N4478 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 28,8 V. | 36 v | 27 Ohm | |||||||||||
Jan1N6338us | 15.9300 | ![]() | 1739 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6338 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 30 v | 39 v | 55 Ohm | |||||||||||||
Jan1N6350us | 15.9300 | ![]() | 9595 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6350 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 91 V | 120 v | 600 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jan1N7050-1 | 7.6500 | ![]() | 2593 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N7050 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6322 | 12.4350 | ![]() | 7421 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 1N6322 | 500 MW | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 6 V | 8.2 v | 5 Ohm | ||||||||||||
![]() | R4280f | 59.8350 | ![]() | 3142 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | R42 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | R4280 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - - - | |||||||||||
![]() | UFR7150R | 101.8500 | ![]() | 4820 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | UFR7150 | Standard | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,25 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 70a | 150pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||
Jantxv1n6341us | 22.3050 | ![]() | 6511 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6341 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 39 V | 51 v | 85 Ohm | |||||||||||||
![]() | 469-03 | 428.4000 | ![]() | 4623 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 469-03 | Standard | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,35 V @ 15.7 a | 2 µa @ 600 V | 10 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||
![]() | 469-04 | - - - | ![]() | 6634 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter | 469-04 | Standard | Md | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,35 V @ 15.7 a | 2 µA @ 880 V | 10 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||
![]() | 483-01 | 478.0950 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Mich | 483-01 | Standard | Mich | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,3 V @ 39 a | 1 µA @ 200 V. | 25 a | DRIPHASE | 200 v | ||||||||||||
![]() | 678-6 | 401.7300 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | NC | 678-6 | Standard | NC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2266-678-6 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 10 a | 10 µa @ 600 V | 25 a | DRIPHASE | 600 V | |||||||||||
![]() | 679-3 | 391.7400 | ![]() | 4168 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, NB | 679-3 | Standard | NB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 10 a | 20 µA @ 300 V | 25 a | Einphase | 300 V | ||||||||||||
![]() | 679-4 | 391.7400 | ![]() | 4698 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, NB | 679-4 | Standard | NB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 10 a | 20 µA @ 400 V | 25 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||
![]() | 680-3 | 216.7050 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, NA | 680-3 | Standard | N / A | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 2 a | 2 µa @ 300 V | 10 a | Einphase | 300 V | ||||||||||||
![]() | 683-3 | 391.7400 | ![]() | 1671 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, NB | 683-3 | Standard | NB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 5 a | 10 µA @ 300 V | 20 a | Einphase | 300 V | ||||||||||||
![]() | 683-5 | 391.7400 | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, NB | 683-5 | Standard | NB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 5 a | 10 µa @ 500 V | 20 a | Einphase | 500 V | ||||||||||||
![]() | 684-6 | 312.7800 | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, NA | 684-6 | Standard | N / A | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 10 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||
![]() | 695-6 | 452.7000 | ![]() | 6484 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | NC | 695-6 | Standard | NC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 15 a | DRIPHASE | 600 V | ||||||||||||
![]() | 696-3 | 452.7000 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | NC | 696-3 | Standard | NC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 2 a | 5 µA @ 300 V | 15 a | DRIPHASE | 300 V | ||||||||||||
![]() | 800-4 | 523.2150 | ![]() | 4315 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Mich | 800-4 | Standard | Mich | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 950 mv @ 10 a | 20 µA @ 150 V | 40 a | DRIPHASE | 150 v | ||||||||||||
![]() | CDLL3156 | 30.9450 | ![]() | 2150 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 4,7% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL3156 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 5,5 V | 8.4 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL3157 | 61.9200 | ![]() | 4253 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 4,7% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL3157 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 5,5 V | 8.4 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDll3157a | 61.9200 | ![]() | 5265 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 4,7% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL3157 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 5,5 V | 8.4 v | 15 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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