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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JantX1N5711ur-1 | 11.7800 | ![]() | 5327 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5711 | Schottky | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||
![]() | 1N4744E3/TR13 | 0,8100 | ![]() | 6853 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4744 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm | |||||||||
![]() | Jan1N5523BUR-1/Tr | 12.9542 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5523BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2,5 V | 5.1 v | 26 Ohm | ||||||||||
![]() | JANS1N6324US | 136.0950 | ![]() | 3397 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6324 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 500 Ohm | |||||||||
JantX1N4618C-1 | 13.6650 | ![]() | 2457 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4618 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 1 v | 2,7 v | 1500 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1N985CUR-1/Tr | 10.2410 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N985CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 76 V | 100 v | 500 Ohm | ||||||||||
![]() | JantX1N4992DUS/Tr | 69.8400 | ![]() | 7577 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4992dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 206 V | 270 v | 800 Ohm | ||||||||||||
1N752a/tr | 2.3400 | ![]() | 7268 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n752a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 404 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 11 Ohm | ||||||||||||
1N4469/Tr | 5.3998 | ![]() | 5958 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4469/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 15 v | 9 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1n3034dur-1/Tr | 36.2558 | ![]() | 5873 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n3034dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||
1N4578-1/tr | 9.1200 | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4578-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 50 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N4739CPE3/TR12 | 1.1550 | ![]() | 5924 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4739 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7 V. | 9.1 v | 5 Ohm | |||||||||
![]() | Jantxv1n2979b | - - - | ![]() | 7777 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 11,4 V | 15 v | 3 Ohm | |||||||||||
JantX1N4121D-1/Tr | 15.4280 | ![]() | 8742 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4121D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.1 V. | 33 v | 200 Ohm | |||||||||||
![]() | DZ980424A-HL/Tr | - - - | ![]() | 9213 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-DZ980424A-HL/Tr | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3034BUR-1/Tr | 11.4247 | ![]() | 2031 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3034BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||
![]() | JANS1N4994D | - - - | ![]() | 8917 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 251 V | 330 V | 1175 Ohm | |||||||||||
JantX1N6316CUS/Tr | 44.6250 | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6316CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 17 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1n5987d | 5.1900 | ![]() | 2225 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5987 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||
![]() | JantX1N4122CUR-1/Tr | 21.7056 | ![]() | 3197 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4122CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 27,4 V. | 36 v | 200 Ohm | ||||||||||
![]() | Jan1N4977CUS/Tr | 23.7000 | ![]() | 6164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jan1N4977CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 47,1 V | 62 v | 42 Ohm | ||||||||||||
Jantx1n4961us | - - - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 9,9 V | 13 v | 3 Ohm | |||||||||||
![]() | JantX1N5541CUR-1 | 37.7850 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5541 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 19.8 V. | 22 v | 100 Ohm | |||||||||
JANS1N5802US/TR | 37.0500 | ![]() | 7329 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5802us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 975 MV @ 2,5 a | 25 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5353A/TR12 | 2.6250 | ![]() | 8914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5353 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 11,5 V. | 16 v | 2,5 Ohm | |||||||||
![]() | Jan1N991DUR-1/Tr | - - - | ![]() | 2967 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | Herunterladen | 150-Jan1N991DUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 137 V | 180 v | 2200 Ohm | ||||||||||||
1N6630us/tr | 22.0800 | ![]() | 5359 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | Standard | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6630us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 900 V | 1,7 V @ 3 a | 50 ns | 4 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.4a | - - - | |||||||||
![]() | CDLL4734D/Tr | 9.7800 | ![]() | 5058 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4734d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||||
CDLL4763 | 3.4650 | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4763 | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 69.2 V. | 91 V | 250 Ohm | |||||||||||
JantX1N6632DUS | - - - | ![]() | 5111 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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