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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n5537dur-1/Tr | 55.0221 |  | 4471 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5537dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | |||||||||||||
 | JantX1N4581a-1/Tr | 7.2300 | | 6308 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4581a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 3 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
| JantX1N752DUR-1/Tr | 15.9999 | | 4426 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n752dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 8 Ohm | |||||||||||||
 | Jan1N4475C | 20.3700 | | 2780 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4475 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 21.6 v | 27 v | 18 Ohm | ||||||||||||
 | CD5267B | 1.4497 | | 2003 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5267b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 v | 75 V | 270 Ohm | |||||||||||||
 | 1N3039B-1/Tr | 7.4214 | | 5275 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3039 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3039b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 47,1 V | 62 v | 125 Ohm | ||||||||||||
 | CDll985a | 2.9400 | | 5391 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL985 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 76 V | 100 v | 500 Ohm | ||||||||||||
 | JantX1N6335dus/tr | 58.0500 | | 5841 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6335DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 23 v | 30 v | 32 Ohm | |||||||||||||||
 | JantX1N4969/Tr | 5.6259 | | 1715 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 5 w | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4969/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 22,8 V. | 30 v | 8 Ohm | |||||||||||||
| UM4310d | - - - | | 9325 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um4310dtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 w | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 1000V | 1,5OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
 | 1N5945BPE3/TR12 | 0,9450 | | 3649 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5945 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 51,2 V. | 68 v | 120 Ohm | ||||||||||||
 | 1N6318us/tr | 13.9517 | | 8527 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6318us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 8 Ohm | |||||||||||||
| Jan1N4134DUR-1/Tr | 24.8843 | | 2627 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4134DUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 69.2 V. | 91 V | 1200 Ohm | ||||||||||||||
| Jan1N5542B-1/Tr | 5.0407 | | 8145 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5542B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 v | 24 v | 100 Ohm | |||||||||||||
| Jantx1n4984us/tr | 13.7250 | | 8394 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4984us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 91,2 V. | 120 v | 170 Ohm | |||||||||||||||
| JantX1N4100C-1/Tr | 13.7788 | | 4316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4100C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | |||||||||||||
 | Jantxv1n3047dur-1/Tr | - - - | | 4893 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,25 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | 150-Jantxv1n3047dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 98,8 V. | 130 v | 700 Ohm | |||||||||||||||
 | CDLL4761A/Tr | 3.2319 | | 7974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4761a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 v | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||||
| 1N4492us | 15.8550 | | 1630 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4492 | 1,5 w | A, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N4492USMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 104 v | 130 v | 500 Ohm | ||||||||||||
| DSB0.2A20/Tr | - - - | | 1266 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-dsb0.2a20/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 228 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 500 MV @ 200 Ma | 5 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||
| JantX1N4135ur-1/Tr | 8.5652 | | 9978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4135ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 v | 100 v | 1600 Ohm | |||||||||||||
| CDLL5529D/Tr | 16.3950 | | 6958 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5529d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.2 V. | 9.1 v | 45 Ohm | ||||||||||||||
| JantXV1N966C-1 | 8.9100 | | 2798 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N966 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||
| GC4712-42 | - - - | | 1665 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4712-42 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 4 w | 0,3PF @ 6v, 1 MHz | Pin - Single | 45 V | 1,2OHM @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||
| S5340Ts | 158.8200 | | 4864 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S5340Ts | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N4737ur/tr | 3.6150 | | 3434 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | 150-1n4737ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||||
| JantX1N6326C | 34.6650 | | 4493 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6326 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 9 V | 12 v | 7 Ohm | ||||||||||||
| JANS1N4617C-1/Tr | 116.4206 | | 1797 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4617C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 2,4 v | 1,4 Ohm | |||||||||||||
| JantX1N4104D-1 | - - - | | 5468 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7.6 V. | 10 v | 200 Ohm | |||||||||||||
| Janhca1n5531c | - - - | | 1908 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N5531c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.9 V. | 11 v | 80 Ohm |
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