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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DR7304/Tr | - - - |  | 1669 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-DR7304/Tr | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | Jan1N5520CUR-1/Tr | 32.9574 | | 9196 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5520CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 3,9 v | 22 Ohm | ||||||||||
 | JANS1N6635CUS | - - - | | 7116 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 1 V | 4.3 v | 2 Ohm | |||||||||||
| SMBG5343BE3/TR13 | 1.1400 | | 5209 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5343 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 5,4 V | 7,5 v | 1,5 Ohm | |||||||||
 | 1N967BE3/Tr | 3.1654 | | 8455 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n967be3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 13,7 V | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||
 | Jantxv1n6311us/tr | - - - | | 8820 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6311 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 30 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | ||||||||||
| CDLL4565/Tr | 5.4150 | | 4708 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4565/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 200 Ohm | ||||||||||||
| CDS5538BUR-1 | - - - | | 7768 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5538bur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
 | 1N485B | 3.5850 | | 1978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N485 | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N485BMS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1 V @ 100 mA | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||
| JANS1N4132C-1 | 67.5450 | | 7628 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 62.4 V. | 82 v | 800 Ohm | |||||||||||
| Jantxv1n4493us/tr | 17.7750 | | 1169 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4493us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700 Ohm | ||||||||||||
| 1n2138ar | 74.5200 | | 5789 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2138ar | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | ||||||||||
| JANS1N5550US/Tr | 95.6250 | | 3519 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5550us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
 | 1N5362CE3/TR12 | 3.3900 | | 8269 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5362 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 20.1 V. | 28 v | 6 Ohm | |||||||||
| UFT3120 | 63,3000 | | 7221 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UFT3120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 15 a | 50 ns | 15 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 115PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||
| 1n5257/tr | 2.2950 | | 8479 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5257/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 410 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||
| Janhca1n5544c | - - - | | 2622 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N5544c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.2 V. | 28 v | 100 Ohm | |||||||||||
| JantX1N5526D-1/Tr | 19.5776 | | 5940 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N5526D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 6,8 v | 30 Ohm | ||||||||||
| 1N5276BE3 | 3.3450 | | 5334 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5276 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1N5276BE3MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 114 v | 150 v | 1500 Ohm | |||||||||
 | 1 PMT5943CE3/TR13 | - - - | | 8386 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5943 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | |||||||||
| CDS5518B-1/Tr | - - - | | 8256 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5518B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
 | CDll961a | 2.8650 | | 7264 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL961 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 7,6 V | 10 v | 8,5 Ohm | |||||||||
| 1N4575aur-1/tr | 5.7750 | | 9625 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4575aur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 164 | 2 µa @ 3 V | 50 Ohm | |||||||||||||
 | JantX1N3036CUR-1 | 37.3500 | | 4097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3036 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 35,8 V. | 47 v | 80 Ohm | |||||||||
| SMBG5354CE3/TR13 | - - - | | 1333 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5354 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 12.2 V. | 17 v | 2,5 Ohm | |||||||||
| 1N5712 | 6.2100 | | 2 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5712 | Schottky | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1n5712m | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 1 V @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||
 | JANS1N6343 | 140.1300 | | 9857 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||
 | Jan1N3045D-1/Tr | 26.4271 | | 2361 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3045D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 83,6 V | 110 v | 450 Ohm | ||||||||||
| Janhca1n965d | - - - | | 2205 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n965d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 16 Ohm | |||||||||||
| Jan1N749D-1 | 6.4950 | | 3966 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N749 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm |
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