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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4594R | 102.2400 |  | 9345 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4594r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 200 a | 50 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||||||||||||||
 | Jantx1n4489us/tr | 11.1720 | | 3996 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4489us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 80 V | 100 v | 300 Ohm | |||||||||||||||||
 | JantX1N5534C-1/Tr | 17.0240 | | 2865 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N5534C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 12,6 V. | 14 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
| GCX1208-23-4 | 5.1150 | | 1936 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | GCX1208 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-GCX1208-23-4 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 3,9PF @ 4V, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 3.9 | C0/C30 | 2500 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||
 | SMBJ5914A/TR13 | 1.5600 | | 1845 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5914 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 3.6 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1 PMT5929BE3/TR7 | 0,7350 | | 8806 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5929 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N4750age3 | 2.9526 | | 2085 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4750age3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||
 | CD5528B | 2.0349 | | 7285 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5528B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7,5 V. | 8.2 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||
| 1N5263a-1 | 2.1000 | | 1927 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5263a-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 41 V | 56 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||||
 | Jan1N4148ur-1/Tr | 1.1970 | | 4733 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/241 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4148ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 800 mv @ 10 mA | 20 ns | 25 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 2,8PF @ 1,5 V, 1 MHz | |||||||||||||||
| BZV55C39/Tr | 2.7664 | | 1722 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-BZV55C39/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 27.3 v | 39 v | |||||||||||||||||||
| Janhca1n5539d | - - - | | 2728 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n5539d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 17.1 V. | 19 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
| MV31019-p00 | - - - | | 5494 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mv31019-p00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 2.7pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 22 v | 10.8 | C2/C20 | 2000 @ 4V, 50 MHz | ||||||||||||||||||
| JantXV1N6332CUS/Tr | 57.2550 | | 9173 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantxv1N6332CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||
 | JANS1N4463/Tr | 78.4202 | | 5522 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4463/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 NA @ 4,92 V. | 8.2 v | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||
| GC4312-00 | - - - | | 5394 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4312-00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,2PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 900mohm @ 20 mA, 1 GHz | |||||||||||||||||||||
| 1 PMT4100/TR13 | 1.1250 | | 7945 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00100 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||
 | CDLL5518B/Tr | 5.9052 | | 4184 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5518b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 26 Ohm | |||||||||||||||||
| JantXV1N964DUR-1/Tr | 21.6258 | | 2117 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n964dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | |||||||||||||||||
| UM7302SM | - - - | | 2748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | SQ-Melf | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7302Smtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 5,5 w | 0,7p @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 200V | 3OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||
| GC2532-150A/Tr | - - - | | 4803 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | GC2532 | Chip | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC2532-150A/Tr | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,8PF @ 6v, 1 MHz | Einzel | 30 v | - - - | - - - | ||||||||||||||||
 | KVX3901A-23-0 | 5.6000 | | 140 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KVX3901 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 32pf @ 3v, 1 MHz | Einzel | 27 v | - - - | 500 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||
 | Jan1N3821C-1/Tr | 15.5078 | | 1330 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3821C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
 | 1N6620E3/Tr | 8.2950 | | 2532 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6620e3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 1,2 a | 30 ns | 500 NA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | |||||||||||||||
 | JantX1N6632DUS/Tr | - - - | | 6869 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-JantX1N6632DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||||
| Jan1N5520D-1 | 17.6700 | | 5251 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5520 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 3,9 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N4465E3/Tr | 6.6234 | | 6094 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4465e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 na @ 8 v | 10 v | 5 Ohm | |||||||||||||||||
 | 1N746A-1/Tr | 2.0748 | | 5430 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n746a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 24 Ohm | |||||||||||||||||
| 1N825 | 4.1500 | | 211 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N825 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
| UMX9415SM | - - - | | 6914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | SQ-Melf | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-umx9415Smtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 w | 4pf @ 0v, 100 MHz | Pin - Single | 50V | 1OHM @ 50 Ma, 100 MHz |
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