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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1 PMT5944/TR13 | 2.2200 | ![]() | 4423 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5944 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 47,1 V | 62 v | 100 Ohm | |||||||||||
![]() | CD3024a | 4.0650 | ![]() | 8767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 1 w | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD3024a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 11.4 V. | 15 v | 14 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4776a/tr | 33.2250 | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4776a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8,5 v | 200 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N4467/tr | 6.6234 | ![]() | 4450 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4467/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 200 NA @ 9.6 V. | 12 v | 7 Ohm | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n4972dus | 51.1200 | ![]() | 2599 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4972dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 V. | 39 v | 14 Ohm | |||||||||||||
![]() | S53120 | 158.8200 | ![]() | 4295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S53120 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5252a/Tr | 2.7132 | ![]() | 5040 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5252a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N2825RB | 96.0150 | ![]() | 7302 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2825 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 27,4 V | 36 v | 3,5 Ohm | |||||||||||
![]() | JantX1N4111ur-1 | 9.4950 | ![]() | 2782 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4111 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13 v | 17 v | 100 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5731c | 3.2100 | ![]() | 1497 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5731 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||
Jantx1n6491dus | - - - | ![]() | 1573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 na @ 2 v | 5.6 v | 5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CDll758a/tr | 4.5353 | ![]() | 1784 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll758a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 17 Ohm | ||||||||||||
1n5542a | 3.0750 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5542a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20 V | 24 v | |||||||||||||||
![]() | APT60DQ60BG | 1.8600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | APT60DQ60 | Standard | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,4 V @ 60 a | 35 ns | 25 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - - - | |||||||||
![]() | CDLL4772A/Tr | 121.5300 | ![]() | 3232 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4772a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N5237bur-1 | 2.8650 | ![]() | 5084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5237 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||
![]() | 689-4d | 280.3200 | ![]() | 1949 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Nd | 689-4 | Standard | Nd | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-689-4d | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 400 V | 15a | 1,2 V @ 10 a | 500 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
DSB5712/Tr | - - - | ![]() | 9531 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky, Umgekehrte Polarität | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-dsb5712/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 1 V @ 35 mA | 150 µa @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1n5997ur | 3.5850 | ![]() | 6167 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5997 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1403 | 38.3850 | ![]() | 3862 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1403 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||||
![]() | Janhca1n5536b | 6.7564 | ![]() | 3770 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n5536b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | ||||||||||||
Jan1N4967C | 14.9250 | ![]() | 1467 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4967 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 18,2 V. | 24 v | 5 Ohm | ||||||||||||
CDLL3028 | 15.3000 | ![]() | 7195 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3028 | 1 w | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 16.7 V. | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDLL4925/Tr | 92.7600 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4925/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 V | 19,2 v | 75 Ohm | |||||||||||||
JantX1N753D-1/Tr | 6.8362 | ![]() | 3240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N753D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 3 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jan1n2831b | - - - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2831 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µA @ 38,8 V. | 51 v | 5.2 Ohm | ||||||||||||
Jantxv1n4485dus | 56.4150 | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4485dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 54.4 V. | 68 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
1N4974us | 9.1950 | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4974 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 35,8 V. | 47 v | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N706a/tr | 1.8620 | ![]() | 6316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 250 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n706a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 5,8 V. | 5.8 v | 20 Ohm | |||||||||||||
![]() | SMBJ4744E3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 6276 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4744 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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