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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
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![]() | APT30D100BHBG | 6.2900 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Apt30 | Standard | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1000 v | 18a | 2,3 V @ 30 a | 290 ns | 250 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | JANS1N4565AUR-1 | 85.8150 | ![]() | 5436 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N7047CCT3 | 143.6100 | ![]() | 1846 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/737 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Schottky | To-257 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 16a | 1,13 V @ 16 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||
Jan1N979B-1 | 1.7100 | ![]() | 9102 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N979 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 43 V | 56 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | JANS1N5550 | 81.1500 | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | JantX1N3022BUR-1 | - - - | ![]() | 8004 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N3821DUR-1/Tr | 45.2466 | ![]() | 7459 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3821dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
1N5248B-1E3 | 2.4450 | ![]() | 5215 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5248b-1e3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||||||
JantXV1N5519C-1 | 23.3700 | ![]() | 8267 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5519 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N3825A-1 | 8.6100 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N1362a | 44.3850 | ![]() | 9856 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N136 | 10 w | DO-203AA (DO-4) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1362a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 30 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6011ur | 3.5850 | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6011 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
1N758A-1/Tr | 2.0748 | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n758a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | SMBJ5919A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5919 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||||||||
Jankca1n4571a | - - - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n4571a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | UM4001CR | - - - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Um4000 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um4001Crtr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 25 w | 3PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 500mohm @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
JantX1N4119C-1/Tr | 12.1695 | ![]() | 5510 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4119c-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 21.3 V. | 28 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||
Jan1N967B-1 | 1.9050 | ![]() | 6754 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N967 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N3335a | 49.3800 | ![]() | 7141 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3335 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 47,1 V | 62 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N5941CPE3/TR12 | 1.2000 | ![]() | 7420 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5941 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 35,8 V. | 47 v | 67 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N6018a | 1.9950 | ![]() | 8069 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6018 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 36 v | 56 v | 240 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1n2841b | 94.8900 | ![]() | 7260 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2841 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 91,2 V | 120 v | 40 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N4054R | 158.8200 | ![]() | 8893 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4054r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | SMAJ5928BE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 2550 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5928 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MSASC150H30LX/Tr | - - - | ![]() | 6710 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC150H30LX/Tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||
1N5233c/tr | 4.2750 | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5233c/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 222 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||
1N5236B | 2.1450 | ![]() | 6780 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5236 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N5236BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µa @ 6 V | 7,5 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JANS1N4955CUS/Tr | 462.1650 | ![]() | 9273 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jans1N4955CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 100 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | S3650 | 61.1550 | ![]() | 7105 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S3650 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N5811URS | 147.4800 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - |
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