- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N6331 | 8.4150 |  | 1242 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6331 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 15 V | 20 v | 18 Ohm | ||||||||||
 | JantX1N4995CUS | - - - | | 2787 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 274 V | 360 V | 1400 Ohm | |||||||||||
 | UTR3310 | 12.8400 | | 4760 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UTR3310 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 3 a | 250 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 400PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||
 | 1N4752AE3/TR13 | - - - | | 4893 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4752 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 25,1 V. | 33 v | 45 Ohm | |||||||||
 | JANS1N5968US/TR | - - - | | 8254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | E, axial | E, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5968us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µA @ 4,28 V. | |||||||||||||||
 | 1N6626UE3/Tr | 12.2250 | | 10000 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard, Umgekehrte Polarität | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1N6626UE3/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 220 V | 1,35 V @ 2 a | 45 ns | 2 µA @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.75a | 40pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||
| JANS1N4116D-1 | 101.3100 | | 6391 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 18,3 V. | 24 v | 150 Ohm | |||||||||||
 | Jantxv1n3155ur-1/Tr | - - - | | 1949 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/158 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N3155ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 5,5 V | 8.4 v | 15 Ohm | |||||||||||
| Jantxv1n4480d | 41.4900 | | 7641 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4480 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 34.4 V. | 43 v | 40 Ohm | |||||||||
 | 1N3176 | 216.8850 | | 1598 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3176 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3176ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,25 V @ 240 a | 75 µa @ 1400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 240a | - - - | ||||||||
 | CDLL4706/Tr | 3.0989 | | 4000 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4706/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14.4 v | 19 v | |||||||||||
| MSASC150H55L/Tr | 231.4950 | | 3215 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-msasc150H55L/tr | 100 | |||||||||||||||||||||||
| Jan1N4582aur-1 | 9.6750 | | 1592 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4582 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | ||||||||||
 | Jan1n4468d | 25.4550 | | 5225 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4468 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.4 v | 13 v | 8 Ohm | |||||||||
| Jantxv1n751cur-1/Tr | 17.6624 | | 5496 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n751cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||
| JantX1N4103DUR-1 | 25.4550 | | 9348 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4103 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7 V. | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||
| 1N4127ur/tr | 3.9450 | | 7865 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Mil-std-750 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | 150-1n4127ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 249 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm | ||||||||||||
 | 1N3047B-1/Tr | 7.4214 | | 3312 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115N | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-13 | 1n3047 | 1 w | DO-13 (DO-202AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3047b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 98,8 V | 130 v | 700 Ohm | |||||||||
| JantX1N975CUR-1 | 15.5700 | | 5462 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N975 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 v | 39 v | 80 Ohm | |||||||||
 | JantX1N3021D-1/Tr | 24.4853 | | 4740 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N3021D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | ||||||||||
| Jantx1n4485dus/tr | 49.7250 | | 8730 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantx1n4485dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 54.4 V. | 68 v | 100 Ohm | ||||||||||||
 | JantX1N6622 | 19.8150 | | 7681 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N6622 | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 660 V | 1,4 V @ 1,2 a | 30 ns | 500 NA @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 10v, 1 MHz | |||||||
| JantX1N5544C-1 | 19.5300 | | 8460 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5544 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.2 V. | 28 v | 100 Ohm | |||||||||
| 1N4938/tr | 3.2100 | | 8576 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4938/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 295 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 175 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 na @ 175 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
| JANS1N6347DUS | 527.5650 | | 2142 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6347DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 69 v | 91 V | 270 Ohm | |||||||||||
 | 1N3525a | 2.4900 | | 7820 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N3525 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 20 v | 20 Ohm | ||||||||||
 | SMBJ5346A/TR13 | 1.6350 | | 4511 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5346 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 7,5 µa @ 6,6 V | 9.1 v | 2 Ohm | |||||||||
| 1N4575aur-1 | 5.5800 | | 3248 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4575 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 50 Ohm | ||||||||||||
| JANS1N4616DUR-1 | 155.7750 | | 7381 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 2,2 v | 1300 Ohm | |||||||||||
 | 1n3027bur-1 | - - - | | 4026 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N3027 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 22 Ohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)