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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JantX1N746C-1 | 5.7900 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N746 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CDLL4685/Tr | 3.0989 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4685/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 7,5 µa @ 2 V | 3.6 V | |||||||||||||||
JANS1N4127-1/Tr | 31.6700 | ![]() | 4616 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4127-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N6008B | - - - | ![]() | 1217 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N6008BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 55 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n4996us | - - - | ![]() | 4919 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4996 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 297 V. | 390 v | 1800 Ohm | |||||||||||||
![]() | SMBG5344B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 9139 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5344 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 5,9 V | 8.2 v | 1,5 Ohm | |||||||||||||
![]() | Kv2123-450a | - - - | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-kv2123-450atr | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,55PF @ 20V, 1 MHz | Einzel | 22 v | - - - | 1000 @ 4V, 50 MHz | ||||||||||||||||
Jantxv1n4973Cus | 40.8900 | ![]() | 2824 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4973 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 32,7 V. | 43 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1n248c | 74.5200 | ![]() | 6609 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n248c | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,19 V @ 90 a | 5 µs | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||
1N5518B | 2.7150 | ![]() | 7275 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5518 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 26 Ohm | |||||||||||||||
JANS1N4620C-1/Tr | 116.4206 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4620C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3,5 µa @ 1,5 V | 3.3 v | 1,65 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N4570aur-1/tr | 6.0800 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 160 | 2 µa @ 3 V | 100 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | R306030f | 49.0050 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R306030f | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5522a/Tr | 5.9052 | ![]() | 3005 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5522a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 22 Ohm | ||||||||||||||
Jantxv1n4967us/tr | 14.4438 | ![]() | 7552 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4967us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 18,2 V. | 24 v | 5 Ohm | |||||||||||||||
![]() | CDll4114e3/Tr | 3.1255 | ![]() | 4376 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4114e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | ||||||||||||||
JantXV1N758D-1 | 16.2450 | ![]() | 7103 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N758 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 17 Ohm | ||||||||||||||
![]() | S53150Ts | 158.8200 | ![]() | 8283 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S53150Ts | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4106 | 1.3699 | ![]() | 8637 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4106 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.12 V. | 12 v | 200 Ohm | ||||||||||||||
Jantxv1n981b-1 | 2.9700 | ![]() | 9939 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N981 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 52 V | 68 v | 230 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CD5233B | 1.4497 | ![]() | 4569 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5233b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CDLL0.2A30/Tr | 3.5850 | ![]() | 8668 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll0.2a30/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 500 MV @ 200 Ma | 5 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N4912a/tr | 28.9950 | ![]() | 3071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4912a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CDLL5221c/Tr | 6.9150 | ![]() | 9071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5221c/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 137 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
1n5244a | 2.0700 | ![]() | 7442 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 9.5 V. | 14 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N4624D/Tr | 5.9850 | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4624d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4770 | 12.4650 | ![]() | 4413 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4770 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6031d | 6.9600 | ![]() | 3762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6031 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 152 v | 200 v | 2000 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4748CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 2851 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4748 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1n2066r | 158.8200 | ![]() | 5725 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2066r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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