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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JantX1N4621D-1 | 15.5700 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4621 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3,5 µa @ 2 V | 3.6 V | 1700 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N3155-1 | 15.7650 | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N3155 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 5,5 V | 8.4 v | 15 Ohm | |||||||||||
Jans1N4957us | 115,5000 | ![]() | 4700 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 2 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4112 | 2.4450 | ![]() | 8968 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N4112 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2266-1n4112 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
1n5274a | 3.1200 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5274 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 99 V | 130 v | 1100 Ohm | |||||||||||
![]() | CDLL5537C/Tr | 11.0124 | ![]() | 3476 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5537c/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | ||||||||||
1N4370A-1/Tr | 2.6850 | ![]() | 7295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4370a-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 353 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5931C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 2901 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5931 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||
Jan1N4972d | 18.6750 | ![]() | 7168 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4972 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 V. | 39 v | 14 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N2843RB | 96.0150 | ![]() | 7245 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2843 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 114 V | 150 v | 75 Ohm | |||||||||
![]() | Jan1N3051CUR-1 | - - - | ![]() | 8125 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6844U3 | 147.4200 | ![]() | 2394 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/679 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1N6844 | Schottky | U3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 15 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 600PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||
APTDF450U60G | 103.9600 | ![]() | 5798 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | LP4 | APTDF450 | Standard | LP4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,8 V @ 500 a | 115 ns | 2,5 mA @ 600 V | 500a | - - - | |||||||||
![]() | Janhca1n971d | - - - | ![]() | 2724 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n971d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N2130RA | 74.5200 | ![]() | 7649 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2130ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | ||||||||||
![]() | Jankca1n4131c | - - - | ![]() | 7682 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n4131c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | |||||||||||
JantX1N5521C-1 | 16.6200 | ![]() | 9309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5521 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1,5 V | 4.3 v | 18 Ohm | ||||||||||
Jantxv1n6490us/tr | - - - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | 150-Jantxv1n6490us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 1 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | |||||||||||||
1N4729aur | 3.4650 | ![]() | 6650 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N4729 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N3305B | 49.3800 | ![]() | 1942 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3305 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 300 µa @ 4,5 V | 6,8 v | 0,2 Ohm | |||||||||
![]() | 1 PMT5931A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 6389 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5931 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||
![]() | Jankca1n4128c | - - - | ![]() | 1620 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N4128c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 45.6 V. | 60 v | 400 Ohm | |||||||||||
Jan1N6317d | 30.4350 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6317 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | |||||||||||
![]() | R38100 | 33.7950 | ![]() | 1063 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | R38100 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
Jan1N4990c | 20.7600 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4990 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 167 V | 220 V | 550 Ohm | ||||||||||
Jantxv1n6486dus | - - - | ![]() | 6510 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm | ||||||||||||
CDLL5917D | 11.7300 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5917 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 5 Ohm | ||||||||||
JANS1N4623D-1 | 155.7750 | ![]() | 6058 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4623D-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 4.3 v | 1600 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDLL5535d | 16.2000 | ![]() | 3147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5535d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 100 Ohm | |||||||||||
JantX1N4119D-1 | 16.9800 | ![]() | 7399 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4119 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 21.3 V. | 28 v | 200 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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