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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4750aur | 3.4650 |  | 9250 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N4750 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 35 Ohm | |||||||||
 | HSM170JE3/TR13 | 0,8550 | | 6076 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | HSM170 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | JantX1N6636DUS/Tr | - - - | | 7248 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | - - - | 150-JantX1N6636DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 20 µa @ 1 V | 4,7 v | 2 Ohm | ||||||||||||
 | 1 PMT5935AE3/TR13 | 0,7350 | | 4106 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5935 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 20,6 V | 27 v | 23 Ohm | |||||||||
| Janhce1N5804 | 15.9600 | | 6049 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | Standard | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhce1N5804 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||
 | 1N5925BPE3/TR8 | 0,9450 | | 9598 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5925 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8 V. | 10 v | 4,5 Ohm | |||||||||
| CD5521 | 2.2950 | | 7157 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5521 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1,5 V | 4.3 v | 18 Ohm | |||||||||||
| CD4690D | - - - | | 1462 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4690D | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 4 V. | 5.6 v | ||||||||||||
| JantXV1N3172R | - - - | | 2728 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/211 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,55 V @ 940 a | 10 mA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | ||||||||||
 | UZ8714 | 22.4400 | | 6394 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 1 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz8714 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 10.6 V. | 14 v | 12 Ohm | ||||||||||||
| 1 PMT5927A/TR13 | 2.2200 | | 3636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5927 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 6,5 Ohm | |||||||||
| 1 PMT4119C/TR7 | 1.2450 | | 3931 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00 UHR 4119 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 21.28 V. | 28 v | 200 Ohm | |||||||||
 | CDLL4746A/Tr | 3.2319 | | 6586 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4746a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 13.7 V. | 18 v | 20 Ohm | |||||||||||
 | SMBJ5349B/TR13 | 1.6650 | | 6126 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5349 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 8,6 V | 12 v | 2,5 Ohm | |||||||||
 | 1N4615E3/Tr | 3.1800 | | 7732 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4615e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 2 v | 1250 Ohm | |||||||||||
 | Jantxv1n3823cur-1/Tr | 44.1427 | | 9793 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3823cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | ||||||||||
| SMBG5341C/TR13 | 2.8650 | | 4864 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5341 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 3 V | 6.2 v | 1 Ohm | |||||||||
| JantXV1N3047D-1 | - - - | | 7380 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 1N4738P/TR12 | 1.8600 | | 5500 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4738 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 6 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | |||||||||
 | Jan1n3027b-1 | 7.7250 | | 6278 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3027 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 22 Ohm | |||||||||
 | JantX1N4113ur-1 | 9.4950 | | 1227 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4113 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 14.5 V. | 19 v | 150 Ohm | |||||||||
| S306100 | 39.0750 | | 4330 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | S306 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | S306100 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | |||||||||
 | 1N3305a | 49.3800 | | 4793 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3305 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 300 µa @ 4,5 V | 6,8 v | 0,2 Ohm | |||||||||
| 1N5919AP/TR8 | 1.8600 | | 3865 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5919 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||
| JantX1N4959CUS/Tr | 20.5800 | | 6534 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4959cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||
 | APT15DQ100KG | 0,8100 | | 240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | APT15DQ100 | Standard | To-220 [k] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 3 V @ 15 a | 235 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||||
 | 1N4583-1 | 8.9400 | | 5947 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4583 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | |||||||||||
| SMBJ5932B/TR13 | 1.5600 | | 3552 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5932 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15,2 V. | 20 v | 14 Ohm | |||||||||
| 1N4701ur-1 | 5.0850 | | 5809 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4701 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 100 mA | 50 NA @ 10.6 V. | 14 v | |||||||||||
| 1n5808/tr | 11.1000 | | 2414 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5808/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
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