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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR2050CTE3/TU | 1.1700 | ![]() | 5565 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Rohr | Aktiv | MBR2050 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | |||||||||||||||||||
CDLL5545B | 6.4800 | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5545 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 v | 30 v | 100 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N4748age3 | 2.9526 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4748age3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||
1N5546 | 3.0750 | ![]() | 4722 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5546 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 28 v | 33 v | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n5525dur-1 | 61.9050 | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5525 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 6.2 v | 30 Ohm | |||||||||
![]() | 1N5352AE3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 9311 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5352 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 10,8 V. | 15 v | 2,5 Ohm | |||||||||
JantX1N4975 | 7.4200 | ![]() | 460 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4975 | 5 w | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 38,8 V. | 51 v | 27 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N3035BUR-1/Tr | 15.4500 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||
1n5275be3 | 2.9260 | ![]() | 6356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5275be3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 106 v | 140 v | 1300 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N6323us/tr | 14.8200 | ![]() | 7330 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6323us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 7 V. | 9.1 v | 6 Ohm | |||||||||||
JANS1N6491US/Tr | - - - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | 150-Jans1N6491US/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 na @ 2 v | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantX1N746AUR-1 | 4.7100 | ![]() | 6966 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N746 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||
![]() | Jan1N4476CUS/Tr | 27.8250 | ![]() | 5356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jan1N4476CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 24 v | 30 v | 20 Ohm | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n6347dus | 68.5500 | ![]() | 3375 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6347dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 69 v | 91 V | 270 Ohm | |||||||||||
![]() | CD5266B | 1.4497 | ![]() | 5399 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5266b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 v | 68 v | 230 Ohm | ||||||||||
JantX1N5543B-1 | 8.5050 | ![]() | 7435 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5543 | 500 MW | DO-204AH (DO-35 GLAS) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 v | 25 v | 100 Ohm | ||||||||||
JantXV1N4938-1 | - - - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/169 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 175 v | 1 V @ 30 mA | 50 ns | 100 pa @ 175 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | - - - | |||||||||||
![]() | JantX1N5543CUR-1/Tr | 33.6357 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5543cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 v | 25 v | 100 Ohm | ||||||||||
![]() | LSM845GE3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 4637 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | DO-215AB, SMC-Möwenflügel | LSM845 | Schottky | Do-215ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 520 mv @ 8 a | 2 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||
![]() | Jan1n3330b | - - - | ![]() | 2378 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/158 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3330 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 35,8 V. | 47 v | 5 Ohm | |||||||||
![]() | 1N5943AP/TR12 | 1.8600 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5943 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | |||||||||
1N5528B | 1.8150 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5528 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7,5 V. | 8.2 v | 40 Ohm | |||||||||||
JANS1N6487DUS/Tr | - - - | ![]() | 7001 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n6487dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 35 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n969bur-1 | 7.5600 | ![]() | 6571 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N969 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29 Ohm | |||||||||
![]() | 1N1186 | 74.5200 | ![]() | 6618 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1N1186ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 110 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||
![]() | 1N3290R | 102.2400 | ![]() | 6246 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | 1N3290 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3290RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||
![]() | Jan1n4983dus/tr | 36.0900 | ![]() | 9204 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jan1n4983dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 83,6 V | 110 v | 125 Ohm | ||||||||||||
![]() | Jan1n757dur-1 | 14.2500 | ![]() | 1833 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N757 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||
![]() | JANS1N4120-1/Tr | 31.6700 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4120-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | 200 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N4615 | 2.6250 | ![]() | 4407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2,5 µa @ 1 V | 2 v | 1250 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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