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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n2835b | - - - |  | 9633 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2835 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 56 V | 75 V | 9 Ohm | ||||||||||
| Janhca1n4128c | - - - | | 6848 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCA1N4128C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 45.6 V. | 60 v | 400 Ohm | |||||||||||
 | CDLL4759A/Tr | 3.2319 | | 2448 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4759a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 47.1 V. | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||
| MSASC25H60KV/Tr | - - - | | 2111 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-msasc25H60KV/tr | 100 | |||||||||||||||||||||||
| 1N6003ur/tr | 3.7350 | | 9745 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | 150-1n6003ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 Ma | 13 v | ||||||||||||||
 | SMBJ5373AE3/TR13 | 0,8100 | | 1034 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5373 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 49 V | 68 v | 44 Ohm | |||||||||
 | Jan1N6319dus | 48.9150 | | 6046 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6319 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 3 Ohm | ||||||||||
 | JANS1N5804US/Tr | 37.0500 | | 8397 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5804us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 975 MV @ 2,5 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||
| 1n5953b | 3.4050 | | 7429 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5953 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N5953BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 114 V | 150 v | 600 Ohm | |||||||||
| SPD1150 | - - - | | 1913 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-spd1150 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4486us | 15.6600 | | 1431 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4486 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 60 V | 75 V | 130 Ohm | |||||||||
 | Jantxv1n645-1/tr | - - - | | 7376 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N645-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||||||
 | 1N5943CE3/TR13 | - - - | | 7453 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5943 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | |||||||||
 | 1N5270bur-1 | 3.5850 | | 2645 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5270 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 69 V | 91 V | 400 Ohm | ||||||||||
| 1N4551a | 53.5800 | | 5884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N4551 | 50 w | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 100 µa @ 1 V | 4,7 v | 0,12 Ohm | ||||||||||
 | 1N4110D-1/Tr | 6.3300 | | 3812 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4110d-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 150 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12,2 V. | 16 v | 100 Ohm | |||||||||||
| JANS1N6316CUS | 285.0750 | | 1980 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Tablett | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6316 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 17 Ohm | ||||||||||
| JANS1N6319US/Tr | 136.2600 | | 9975 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6319 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 3 Ohm | ||||||||||
 | 1N4781 | 31.7100 | | 7800 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4781 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8,5 v | 100 Ohm | |||||||||||
 | UFR3150R | 99.3300 | | 9306 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | UFR3150 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,25 V @ 30 a | 50 ns | 15 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 115PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||
| 1N5941BP/TR12 | 1.8900 | | 9651 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5941 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 35,8 V. | 47 v | 67 Ohm | |||||||||
| 1N3269R | 158.8200 | | 5287 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3269 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3269RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||
| JantX1N3291R | - - - | | 5516 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/246 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,55 V @ 310 a | 10 mA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||
 | JANS1N4970US | 92.0400 | | 2982 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 25,1 V. | 33 v | 10 Ohm | |||||||||||
| 1n3070ur/tr | 9.2100 | | 7421 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150-1n3070ur/tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||
| 1N4245us | 7.3650 | | 2319 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | Standard | Melf-1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4245us | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
| 1N3045B-1 | 8.1900 | | 2074 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n3045 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 83,6 V | 110 v | 450 Ohm | |||||||||
| Jan1N6312us/Tr | 15.6000 | | 1739 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6312 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 27 Ohm | ||||||||||
| Jan1N4466us | 10.4550 | | 4624 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4466 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 NA @ 8.8 V. | 11 v | 6 Ohm | |||||||||
| Janhca1n5545b | 6.7564 | | 6296 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1n5545b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 v | 30 v | 100 Ohm |
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