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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jantxv1n4466cus/tr | 40.1527 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4466cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 NA @ 8.8 V. | 11 v | 6 Ohm | |||||||||||
![]() | MSASC25W100K | - - - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | - - - | MSASC25 | Schottky | 2-Thhinkey ™ | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 910 mv @ 25 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | ||||||||
![]() | UZ5745 | 32.2650 | ![]() | 1468 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz5745 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 34,2 V. | 45 V | 20 Ohm | ||||||||||||
Jan1n4959us/tr | 8.0332 | ![]() | 2654 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n4959us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 2,5 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4989CUS | 25.8900 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4989cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 152 V | 200 v | 500 Ohm | |||||||||||
![]() | S4205Ts | 102.2400 | ![]() | 2806 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S4205Ts | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5234B/Tr | 4.4422 | ![]() | 8383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5234b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 7 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1N3029CUR-1/Tr | 29.0339 | ![]() | 7547 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3029CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||
![]() | Jan1N3600 | - - - | ![]() | 2704 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/231 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | Standard | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||
![]() | CD6348 | 2.1014 | ![]() | 5518 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD6348 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
JantX1N4130C-1/Tr | 12.1695 | ![]() | 7908 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4130c-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 51,7 V. | 68 v | 700 Ohm | |||||||||||
![]() | LSM540GE3/TR13 | 0,7500 | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | DO-215AB, SMC-Möwenflügel | LSM540 | Schottky | Do-215ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 520 mv @ 5 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||
![]() | Jantxv1n4475c | 31.6350 | ![]() | 2615 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4475 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 21.6 v | 27 v | 18 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4784 | 264.6450 | ![]() | 6511 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4784 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8,5 v | 100 Ohm | |||||||||||
Jankca1n5542c | - - - | ![]() | 9173 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n5542c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 v | 24 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n3016bur-1 | 18.1950 | ![]() | 2172 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3016 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 150 µa @ 5,2 V | 6,8 v | 3,5 Ohm | |||||||||
JANS1N823-1/Tr | 125.9550 | ![]() | 8208 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N823-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||
1N6341us | 14.6400 | ![]() | 9778 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6341 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 39 V | 51 v | 85 Ohm | |||||||||||
JANS1N5616US | 49.9950 | ![]() | 3325 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/427 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 a | 2 µs | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
![]() | JantX1N5524B-1/Tr | 5.3865 | ![]() | 4710 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N5524B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 3,5 V | 5.6 v | 30 Ohm | ||||||||||
![]() | R2150 | 33.4500 | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-r2150 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N444478/Tr | 6.2776 | ![]() | 8722 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4478/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 28,8 V. | 36 v | 27 Ohm | ||||||||||
![]() | SMBG5357CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 5916 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5357 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 14.4 V. | 20 v | 3 Ohm | |||||||||
JantX1N3028D-1 | 27.4500 | ![]() | 4661 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3028 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||
JANS1N6326CUS/Tr | 266.2214 | ![]() | 2392 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6326CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 9 V | 12 v | 7 Ohm | |||||||||||
![]() | R53140Ts | 158.8200 | ![]() | 2017 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R53140Ts | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4107DUR-1/Tr | 16.3058 | ![]() | 2774 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4107DUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.9 V. | 13 v | 200 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5739d | 4.6800 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5739 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 9 V | 13 v | 30 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4756CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4756 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 35,8 V. | 47 v | 80 Ohm | |||||||||
![]() | 1N5370AE3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 7417 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5370 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 V. | 56 v | 35 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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