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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL4756C | 7.5150 | ![]() | 6802 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4756c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 35.8 V. | 47 v | 80 Ohm | |||||||||||
Jan1N6349c | 39.6300 | ![]() | 4875 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6349c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 84 v | 110 v | 500 Ohm | ||||||||||||
Jantxv1n4993dus | 74.2350 | ![]() | 3286 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 228 V | 300 V | 950 Ohm | ||||||||||||
![]() | JantXV1N2827RB | - - - | ![]() | 8456 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2827 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µA @ 32,7 V. | 43 v | 4,5 Ohm | ||||||||||
![]() | 1 PMT4105C/TR13 | - - - | ![]() | 9097 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00 UHR 4105 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 8.44 V. | 11 v | 200 Ohm | |||||||||
![]() | 1n2984a | 36.9900 | ![]() | 9034 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2984 | 10 w | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 15,2 V | 20 v | 4 Ohm | |||||||||
![]() | Jantxv1n3333b | - - - | ![]() | 6042 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3333b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 42,6 V. | 52 v | 5,5 Ohm | ||||||||||
![]() | CDS3018B-1/Tr | - - - | ![]() | 7330 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS3018B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | UPS115UE3/TR7 | 0,6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-216aa | UPS115 | Schottky | PowerMite | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 220 mv @ 1 a | 10 mA @ 15 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 150pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||
Jantxv1n6491us/tr | - - - | ![]() | 2146 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6491us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 na @ 2 v | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||||
1N5231 | 2.7150 | ![]() | 3520 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5231 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1,9 V | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5371E3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5371 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 43 V | 60 v | 40 Ohm | |||||||||
Jantxv1n4099c-1 | 23.1600 | ![]() | 7090 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4099 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 200 Ohm | ||||||||||
JANS1N5623US | 90.4050 | ![]() | 4003 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/429 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1,6 V @ 3 a | 500 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | CDS5528BUR-1 | - - - | ![]() | 2821 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5528bur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6911utk2as | - - - | ![]() | 4574 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/723 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 30 v | 540 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | |||||||||||
USD245CRHR2 | 128.0700 | ![]() | 5015 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | USD245 | Schottky, Umgekehrte Polarität | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 680 mv @ 4 a | 2 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||
JantX1N4584A-1 | 28.8600 | ![]() | 4989 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4584 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 3 v | 25 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1n821ur-1/tr | 4.3500 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n821ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||
![]() | Jankca1N4121 | - - - | ![]() | 3990 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N4121 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.08 V. | 33 v | 200 Ohm | ||||||||||
![]() | CDLL5251c | 6.7200 | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5251c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N3294R | 102.2400 | ![]() | 3394 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | 1N3294 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3294RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,55 V @ 310 a | 10 mA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||
![]() | Jan1N4148ur-1 | 1.2000 | ![]() | 694 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/241 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4148 | Standard | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 800 mv @ 10 mA | 20 ns | 25 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 2,8PF @ 1,5 V, 1 MHz | |||||||
JANS1N4123D-1/Tr | 94.7000 | ![]() | 5578 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4123D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.7 V. | 39 v | 200 Ohm | |||||||||||
![]() | JantX1N3318RB | - - - | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 13,7 V | 19 v | 2,2 Ohm | |||||||||||
CDll746a | 3.0600 | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL746 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | ||||||||||
![]() | Jan1N748AUR-1/Tr | 4.0831 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N748AUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | ||||||||||
UZ120 | 22.4400 | ![]() | 5728 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 3 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz120 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µa @ 152 V | 200 v | 950 Ohm | |||||||||||||
![]() | Upr40e3/tr7 | 1.0650 | ![]() | 9061 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-216aa | Upr40 | Standard | PowerMite | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||
![]() | Jan1N5711UBD | 84.8400 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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