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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55C20/Tr | 2.7664 | ![]() | 4907 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-BZV55C20/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14 v | 20 v | ||||||||||||
![]() | CDLL5239c | 6.7200 | ![]() | 7482 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5239c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n3051cur-1/Tr | - - - | ![]() | 9823 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,25 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | 150-Jantxv1n3051cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 152 V. | 200 v | 1500 Ohm | ||||||||||||
1n5251b | 2.0700 | ![]() | 6487 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5251 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N5251BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N5925CE3/TR13 | - - - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5925 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8 V. | 10 v | 4,5 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4623-1/Tr | 2.4871 | ![]() | 1271 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4623-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 4.3 v | 1600 Ohm | ||||||||||
![]() | S5310 | 158.8200 | ![]() | 3638 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-s5310 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDS962B-1/Tr | - - - | ![]() | 5275 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS962B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
1n5527a | 1.8150 | ![]() | 7177 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5527a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6 v | 7,5 v | |||||||||||||
![]() | 1N4756CPE3/TR8 | 1.1550 | ![]() | 2614 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4756 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 35,8 V. | 47 v | 80 Ohm | |||||||||
![]() | JantX1N5531BUR-1/Tr | 13.2202 | ![]() | 6665 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5531bur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.9 V. | 11 v | 80 Ohm | ||||||||||
JANS1N5802US/TR | 37.0500 | ![]() | 7329 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5802us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 975 MV @ 2,5 a | 25 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5353A/TR12 | 2.6250 | ![]() | 8914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5353 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 11,5 V. | 16 v | 2,5 Ohm | |||||||||
![]() | Jantxv1n3036bur-1 | 18.0150 | ![]() | 9122 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3036 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 35,8 V. | 47 v | 80 Ohm | |||||||||
UZ140 | 22.4400 | ![]() | 3212 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 3 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz140 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 304 V | 400 V | 3500 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jan1N6355c | - - - | ![]() | 2870 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 152 v | 200 v | 1800 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n7048ur-1/tr | 12.9750 | ![]() | 8948 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N7048ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N991DUR-1/Tr | - - - | ![]() | 2967 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 400 MW | Do-213aa | Herunterladen | 150-Jan1N991DUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 137 V | 180 v | 2200 Ohm | ||||||||||||
Jan1N4104D-1/Tr | 11.7838 | ![]() | 7792 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4104D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7.6 V. | 10 v | 200 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N3345a | 49.3800 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3345 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 114 V | 140 v | 60 Ohm | |||||||||
![]() | Jantxv1n5806 | 9.7650 | ![]() | 9476 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N5806 | Standard | A, axial | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | |||||||
1N4966 | 6.4900 | ![]() | 4411 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4966 | 5 w | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2266-1n4966 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 16,7 V | 22 v | 5 Ohm | ||||||||||
![]() | 1 PMT4126/TR7 | 0,9600 | ![]() | 2017 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00126 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 38.76 V. | 51 v | 250 Ohm | |||||||||
![]() | CDLL5244D | 8.4150 | ![]() | 3439 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5244d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 Ohm | |||||||||||
![]() | JANS1N6637C | - - - | ![]() | 2181 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 5.1 v | 1,5 Ohm | |||||||||||
![]() | 1 PMT5934BE3/TR7 | 0,7050 | ![]() | 9730 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5934 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4898a/tr | 101.7450 | ![]() | 5496 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4898a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 v | 400 Ohm | ||||||||||||
![]() | Jan1n4485us/tr | 10.9650 | ![]() | 5992 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jan1n4485us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 54.4 V. | 68 v | 100 Ohm | ||||||||||||
JantXV1N4623-1 | 5.7750 | ![]() | 9007 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4623 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 4.3 v | 1600 Ohm | ||||||||||
![]() | Jantxv1n4480cus/tr | 45.2850 | ![]() | 7407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4480cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 34.4 V. | 43 v | 40 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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