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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JantX1N6637us/Tr | - - - |  | 1036 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-Jantx1n6637us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 5.1 v | 1,5 Ohm | |||||||||||||||||||
 | 1N5356CE3/TR12 | 3.3900 | | 6316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5356 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 13.7 V. | 19 v | 3 Ohm | ||||||||||||||||
 | CD5930b | 3.8437 | | 7335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5930b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5272BE3/Tr | 3.5112 | | 6564 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDLL5272BE3/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 84 v | 110 v | 750 Ohm | |||||||||||||||||
 | Jan1N5528C-1/Tr | 12.6749 | | 4502 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5528C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7,5 V. | 8.2 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||
| CD4733 | 2.0700 | | 6584 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 1 w | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4733 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||
| JantXV1N4992C | 51.1200 | | 8463 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 206 V | 270 v | 800 Ohm | ||||||||||||||||||
 | JantX1N937B-1 | - - - | | 9334 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/1 | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N937 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 8,55 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
| Jan1N753A-1 | 2.0550 | | 8114 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N753 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||
| Jan1n4985us/tr | 13.4100 | | 5563 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jan1n4985us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 98,8 V | 130 v | 190 Ohm | |||||||||||||||||||
| JantX1N965dur-1 | 11.9850 | | 2322 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N965 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N825A-1E3 | 4.7000 | | 194 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N825 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 1N825A-1E3MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 5.89 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
| Jan1N5195ur | 27.0900 | | 5733 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/118 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 180 v | 1 V @ 100 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||||||||||||
 | JantX1N4974/Tr | 7.8450 | | 3726 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4974/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 35,8 V. | 47 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||
| JANS1N4100DUR-1 | 148.5300 | | 7908 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
 | 1N6840 | 161.9550 | | 6729 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1N6840 | Schottky | U3 (SMD-0,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||
 | JantX1N5420/Tr | 9.8250 | | 2091 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5420/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 9 a | 400 ns | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||
 | Jan1N3025D-1 | 21.6750 | | 2545 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3025 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 12,2 V | 16 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N2839RB | 96.0150 | | 4353 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2839 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 79,8 V. | 105 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||
| KV1501-154-0 | - - - | | 5979 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-kv1501-154-0TR | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 10.6PF @ 10V, 1 MHz | Einzel | 12 v | 17.5 | C2/C10 | 130 @ 2v, 10 MHz | ||||||||||||||||||
| 1N5359C/TR12 | 3.3900 | | 9541 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5359 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 17.3 V. | 24 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||
| JantXV1N6339DUS/Tr | 68.7000 | | 4233 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantxv1n6339dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 33 v | 43 v | 65 Ohm | |||||||||||||||||||
 | CD747a | 1.5029 | | 5490 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cd747a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||||||||
| JantX1N5519C-1 | 19.5300 | | 4914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5519 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||
| Jantxv1n5522bur-1/Tr | 17.2900 | | 9528 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5522bur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 4,7 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||
 | 1 PMT5935CE3/TR13 | 0,7350 | | 8707 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5935 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 20,6 V | 27 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N5931p/TR8 | 1.8600 | | 1972 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5931 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | ||||||||||||||||
 | CDll3028a | 15.3000 | | 6496 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3028 | 1 w | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 16.7 V. | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||
| Jankca1n752a | - - - | | 1647 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n752a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 11 Ohm | |||||||||||||||||
| Jantxv1n3826a-1 | - - - | | 7678 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm |
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