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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N755C-1/Tr | 4.7481 |  | 6514 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N755C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 5 V | 7,5 v | 6 Ohm | ||||||||||
 | JantX1N6912UTK2AS | - - - | | 4951 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/723 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 45 V | 640 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 1000pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4766A-1 | 88.5300 | | 9740 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 250 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4766a-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9.1 v | 350 Ohm | ||||||||||||
 | SMBJ5923C/TR13 | 2.0850 | | 6398 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5923 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 3,5 Ohm | |||||||||
 | Jan1N3827D-1 | 21.7350 | | 2803 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3827 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 2 V | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||
| SMBJ5934B/TR13 | 1.5600 | | 7587 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5934 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | |||||||||
 | UZ709 | 22.4400 | | 2150 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 3 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz709 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 3 Ohm | ||||||||||||
| R307020f | 49.0050 | | 7523 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R307020f | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | 1N5938PE3/TR12 | 0,9150 | | 4153 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5938 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 27,4 V | 36 v | 38 Ohm | |||||||||
| 1N5927BP/TR12 | 1.8900 | | 3623 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5927 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 6,5 Ohm | |||||||||
 | CDLL5535A/Tr | 5.9052 | | 4139 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5535a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 12,5 V. | 15 v | 100 Ohm | ||||||||||
 | JantX1N4954CUS | 20.4300 | | 2383 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4954Cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 150 µa @ 5,2 V | 6,8 v | 1 Ohm | |||||||||||
 | JantX1N4130DUR-1/Tr | 31.1752 | | 5064 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4130dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 51,7 V. | 68 v | 700 Ohm | ||||||||||
| Jan1N4125D-1/Tr | 11.7838 | | 5059 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4125D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 35.8 V. | 47 v | 250 Ohm | |||||||||||
 | UPS560E3/TR13 | 0,6300 | | 59 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerMite®3 | UPS560 | Schottky | PowerMite 3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 690 mv @ 5 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 150pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| JANS1N4114D-1 | 101.3100 | | 4187 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | |||||||||||
| Jan1N6857ur-1 | - - - | | 3485 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 16 v | 750 MV @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 4.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4734APE3/TR12 | 0,9450 | | 4537 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4734 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||
| Jan1N4582aur-1 | 9.6750 | | 1592 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4582 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | ||||||||||
| MSASC45W100K | - - - | | 9775 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC45W100K | 100 | |||||||||||||||||||||||
| UES1101 | 18.3150 | | 6843 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 975 mv @ 2 a | 25 ns | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||
| R4240f | 59.8350 | | 1107 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | R4240 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - - - | |||||||||
| 1N5922PE3/TR12 | 0,9150 | | 1450 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5922 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 6 V | 7,5 v | 3 Ohm | |||||||||
| JANS1N6323CUS | 285.0750 | | 6389 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 7 V. | 9.1 v | 6 Ohm | ||||||||||||
| 1N6014ur-1 | 3.5850 | | 4459 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6014 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Jan1N4985dus | 42.4350 | | 8251 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4985 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 98,8 V | 130 v | 190 Ohm | |||||||||
| 1N3263R | 158.8200 | | 7393 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3263 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3263RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||
| 1N6021ur-1 | 3.5850 | | 7987 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6021 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| Jan1N4571aur-1/Tr | 5.9250 | | 1652 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4571aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | |||||||||||
| Jan1N4974us | - - - | | 9987 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 35,8 V. | 47 v | 25 Ohm |
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