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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n983dur-1/tr | 12.7680 |  | 4000 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n983dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 330 Ohm | ||||||||||||||||||
 | 1N4944/tr | 9.0600 | | 1206 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4944/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 35PF @ 12V, 1 MHz | ||||||||||||||||
 | JantXV1N3025CUR-1/Tr | 40.4985 | | 5998 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3025cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 12,2 V | 16 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||||
 | LXS201-23-0/Tr | 6.1800 | | 8121 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | LXS201 | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-LXS201-23-0/Tr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1.000 | 1 a | 250 MW | 0,3PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - Single | 3v | - - - | ||||||||||||||||||
 | Jan1N4129C-1 | 10.5000 | | 1388 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4129 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 47.1 V. | 62 v | 500 Ohm | ||||||||||||||||||
| JantX1N4372D-1 | 28.0200 | | 7652 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4372 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 30 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | |||||||||||||||||
 | GC4215-00 | - - - | | 9298 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4215-00 | 1 | 10 ma | 0,5PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 350 MOHM @ 20 mA, 1 GHz | |||||||||||||||||||||||
| GC4601-172 | - - - | | 9728 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4601-172 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1,5PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 1500V | 250 MOHM @ 500 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4099ur-1 | 15.9750 | | 2649 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.17 V. | 6,8 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||
| JantX1N5529DUR-1/Tr | 42.0014 | | 3896 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5529dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.2 V. | 9.1 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||||
| CDll943a/tr | 69.1800 | | 1326 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll943a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||
 | JantX1N5822/Tr | 85.9500 | | 6603 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/620 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Schottky | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5822/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||
| CDLL829/Tr | 26.4750 | | 3004 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4,84% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll829/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||
| GCX1209-23-0 | 3.3150 | | 4745 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | GCX1209 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-GCX1209-23-0 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 4.7pf @ 4V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 3.9 | C0/C30 | 2000 @ 4V, 50 MHz | ||||||||||||||||||
| 1n5248b/tr | 2.0083 | | 5715 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5248b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||||||
 | CDLL3016B | 16.1100 | | 3183 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3016 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||
| Jan1N5536BUR-1/Tr | 12.9542 | | 3183 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5536BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
| UZ5238 | 32.2650 | | 8531 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz5238 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 274 V | 380 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | CDll4740a/tr | 3.4048 | | 1470 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4740a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||
| Jan1N6314 | 9.5100 | | 6354 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6314 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||||
| KVX2143-150B | - - - | | 4300 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-kvx2143-150btr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
| 1N3012RB | 40.3200 | | 3238 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3012 | 10 w | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 121,6 V | 160 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||
| KVX2152-23-0 | 3.3150 | | 1698 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-kvx2152-23-0 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,3PF @ 20V, 1 MHz | Einzel | 22 v | - - - | 600 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||||
| GC4491-00 | - - - | | 1566 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4491-00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 ma | 0,25PF @ 50V, 1 MHz | Pin - Single | 750 V | 1,2OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||
| 1N6631U/tr | 18.9900 | | 8436 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6631u/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,6 V @ 1,4 a | 60 ns | 4 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.4a | - - - | |||||||||||||||||
| UM7108f | 33.1950 | | 2081 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7108f | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 100000 w | 1,2PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 800V | 600 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||||||
| Jan1n5540bur-1 | 14.4600 | | 9077 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5540 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 v | 20 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
| 1N914 | 0,9800 | | 4 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N914 | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N914ms | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 50 Ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
 | MPP4205-206/Tr | 3.9000 | | 974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | 0402 (1005 Metrik) | MPP4205 | 0402 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | 0,15PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 70V | 5ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||
| Kv2161-00 | - - - | | 5095 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-kv2161-00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 2.3pf @ 20V, 1 MHz | Einzel | 22 v | 5.1 | C4/C20 | 400 @ 4V, 50 MHz |
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