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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jantxv1n5550/Tr | 9.7800 | ![]() | 5755 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5550/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
![]() | 1N6003b/tr | 2.0083 | ![]() | 2694 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6003b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 9.9 V. | 13 v | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | Jan1n4454ur-1/tr | 2.3541 | ![]() | 3237 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/144 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4454ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||||
![]() | JANS1N5712UBCA/TR | 159.7350 | ![]() | 4951 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/444 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | 150-Jans1N5712UBCA/Tr | 50 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 16 v | 75 Ma | 1 V @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
1n5230b/tr | 2.5669 | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5230b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 µa @ 2 V | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n3671ar | 71.1600 | ![]() | 1215 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/260 | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3671 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,35 V @ 38 a | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||
JantX1N971DUR-1/Tr | 17.3964 | ![]() | 6202 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n971dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||
1n5264a | 2.1000 | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5264 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 46 v | 60 v | 170 Ohm | |||||||||||||
1N4710 | 3.9300 | ![]() | 9237 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4710 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 v | ||||||||||||||
![]() | MSCDC300A70AG | 304.1200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | Modul | MSCDC300 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCDC300A70AG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 700 V | 300a | 1,8 V @ 300 a | 0 ns | 1,2 mA @ 700 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||
![]() | JantX1N4104CUR-1 | - - - | ![]() | 6587 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4104 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7.6 V. | 10 v | 200 Ohm | |||||||||||
![]() | SMBJ5936B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 2567 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5936 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 22,8 V. | 30 v | 28 Ohm | |||||||||||
![]() | 1n5990b | 2.0700 | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5990 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N5990BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N6675 | - - - | ![]() | 2108 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 500 MV @ 200 Ma | 10 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Jantxv1n4108dur-1 | 36.0000 | ![]() | 1559 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4108 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 10.7 V. | 14 v | 200 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n4482us/tr | 17.7750 | ![]() | 6343 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4482us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 40,8 V. | 51 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N980a/tr | 2.2650 | ![]() | 2929 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n980a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 417 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 47,1 V. | 62 v | 185 Ohm | |||||||||||||
JantX1N6488CUS | - - - | ![]() | 7233 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||||||
1N823AE3 | 3.8100 | ![]() | 9940 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n823ae3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N648-1 | - - - | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||||||||
![]() | Jantxv1n4491dus/tr | 56.5650 | ![]() | 1930 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4491dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 96 V | 120 v | 400 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CDLL5275d | 8.4150 | ![]() | 2793 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5275d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 101 V | 140 v | 1300 Ohm | ||||||||||||||
1N4567a | 4.0800 | ![]() | 2880 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4567a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | |||||||||||||||
JantXV1N5545B-1 | 9.1200 | ![]() | 4702 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5545 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 v | 30 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5947C/TR7 | - - - | ![]() | 2235 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5947 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 62,2 V. | 82 v | 160 Ohm | |||||||||||
JantX1N6329c | 37.4250 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6329 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 16 v | 12 Ohm | ||||||||||||
1N4915 | 106.4850 | ![]() | 3208 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -25 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N4915 | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
![]() | JantX1N6911utk2 | - - - | ![]() | 6393 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/723 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 30 v | 540 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | |||||||||||||
![]() | CDLL4896A/Tr | 27.9750 | ![]() | 3371 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4896a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 12,8 v | 400 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantX1N6486C | - - - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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