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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL3828a/tr | 9.1371 |  | 5807 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll3828a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 6.2 v | 2 Ohm | |||||||||
 | 1N4963us/tr | 6.8894 | | 1659 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4963us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µA @ 12,2 V. | 16 v | 3,5 Ohm | |||||||||
 | 1N4565A-1 | 3.2100 | | 9541 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4565 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | ||||||||||
 | JantX1N3021C-1 | 21.9600 | | 3146 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3021 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | ||||||||
| 1N5235a | 2.0700 | | 8342 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5235 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µa @ 5 V | 6,8 v | 5 Ohm | |||||||||
 | Jan1N751A-1/Tr | 1.9418 | | 5293 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N751A-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | |||||||||
 | JANS1N4114UR-1/Tr | 46.3100 | | 1402 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4114ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | |||||||||
| JantX1N965B-1/Tr | 2.1014 | | 6118 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N965B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | |||||||||
| JantX1N6313 | 12.4350 | | 9529 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6313 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 25 Ohm | |||||||||
 | 85HQ040 | 117.7800 | | 8532 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HQ040 | Schottky | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 85HQ040MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 740 mv @ 80 a | 2 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - - - | |||||||
| Jantxv1N6632 | - - - | | 7520 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N6632 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 µa @ 1 V | 3.3 v | 3 Ohm | ||||||||
| 1N5230bur-1 | 4.7700 | | 6317 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 µa @ 2 V | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||
| Jantxv1n991b-1/tr | - - - | | 2349 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N991B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 137 V | 180 v | 2,2 Ohm | |||||||||
| MSASC25W100K | - - - | | 2464 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | - - - | MSASC25 | Schottky | 2-Thhinkey ™ | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 910 mv @ 25 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | |||||||
 | 1N5829 | 45.6750 | | 2656 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N5829 | Schottky | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1n5829ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 440 mv @ 25 a | 3 ma @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 25a | 1650pf @ 5v, 1 MHz | |||||||
 | LSM835JE3/TR13 | 0,7950 | | 4129 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | LSM835 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 520 mv @ 8 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||
 | Jantxv1n6311us | 21.4200 | | 1254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6311 | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 30 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | ||||||||
| 1N767 | 1.9500 | | 6603 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | - - - | 1N767 | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
| 1N4742aur/tr | 3.2319 | | 5247 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1 w | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4742aur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | |||||||||
| Jan1N3019D-1 | 24.4650 | | 4764 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3019 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 150 µa @ 5,2 V | 9.1 v | 6 Ohm | ||||||||
 | Jan1n3051bur-1/tr | - - - | | 3188 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1,5 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | 150-Jan1N3051BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 152 V. | 200 v | 1500 Ohm | |||||||||||
 | 1N5372B/TR12 | 2.6850 | | 8654 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5372 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 44.6 V. | 62 v | 42 Ohm | ||||||||
| 1N4738CPE3/TR8 | 1.1550 | | 9574 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4738 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 6 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | ||||||||
 | 1 PMT4112/TR7 | 0,9600 | | 3173 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 1PMT4112 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 13.37 V. | 18 v | 100 Ohm | ||||||||
| HSM8100G/TR13 | 2.7150 | | 6888 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | DO-215AB, SMC-Möwenflügel | HSM8100 | Schottky | Do-215ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 780 mv @ 8 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||
| JantX1N5545D-1 | 21.9150 | | 5137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5545 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 v | 30 v | 100 Ohm | ||||||||
 | SMBJ5956C/TR13 | 2.0850 | | 6238 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5956 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 152 V | 200 v | 1200 Ohm | ||||||||
| JantX1N6324us | 18.5400 | | 1235 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | JantX1N6324USMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 6 Ohm | |||||||||
| CDLL4135E3/Tr | 3.9600 | | 7780 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4135e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 238 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 v | 100 v | 1500 Ohm | ||||||||||
 | Jan1n3042dur-1/tr | 36.2558 | | 6923 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n3042dur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 62,2 V. | 82 v | 200 Ohm |
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