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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4055 | 158.8200 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4055 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 900 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 900 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||||
![]() | 1N938B/tr | 9.1200 | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n938b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4740E3/TR13 | 0,8100 | ![]() | 1022 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4740 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||
![]() | CDLL4781/Tr | 36.6600 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4781/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 8,5 v | 100 Ohm | |||||||||||
![]() | JantX1N6637 | - - - | ![]() | 3288 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 5.1 v | 1,5 Ohm | ||||||||||
![]() | Jan1N4120ur-1/Tr | 7.8736 | ![]() | 6353 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4120ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | 200 Ohm | |||||||||||
1N5522 | 1.8150 | ![]() | 5529 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5522 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 22 Ohm | ||||||||||||
![]() | R50410Ts | 158.8200 | ![]() | 1879 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R50410Ts | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4614DUR-1/Tr | - - - | ![]() | 2671 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4614DUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,1 V @ 200 Ma | 3,5 µa @ 1 V | 1,8 v | 1200 Ohm | |||||||||||
1N4714 | 3.9300 | ![]() | 9610 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4714 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 25 v | 33 v | ||||||||||||
CDLL5520B | 6.4800 | ![]() | 5366 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5520 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 3,9 v | 22 Ohm | ||||||||||
![]() | SMBJ5947B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 6370 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5947 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 62,2 V. | 82 v | 160 Ohm | |||||||||
![]() | 1N2427 | 102.2400 | ![]() | 3748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2427 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||
![]() | JantXV1N4372CUR-1 | 26.2350 | ![]() | 1290 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4372 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 30 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | |||||||||
![]() | 1N3879 | 47.0100 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3879 | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3879ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,4 V @ 20 a | 200 ns | 15 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 115PF @ 10V, 1 MHz | |||||||
UES1105HR2/Tr | 59.8500 | ![]() | 1042 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-eeS1105HR2/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | - - - | 2a | - - - | ||||||||||
Jan1N4115D-1/Tr | 11.7838 | ![]() | 9900 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4115D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 16,8 V. | 22 v | 150 Ohm | ||||||||||||
![]() | JantX1N3821aur-1 | 15.9000 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3821 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | |||||||||
Jan1N4573A-1/Tr | 9.0150 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4573A-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDLL3826D/Tr | 25.9650 | ![]() | 2089 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll3826d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | |||||||||||
![]() | CD5257c | - - - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5257c | Ear99 | 8541.10.0050 | 291 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1N3325RB | - - - | ![]() | 4248 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 25,1 V | 33 v | 3.2 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1N5416 | 6.6300 | ![]() | 4320 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5416 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||
Jantxv1n4974 | 7.6500 | ![]() | 9825 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4974 | 5 w | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 35,8 V. | 47 v | 25 Ohm | |||||||||||
![]() | SBR60100R | 143.2050 | ![]() | 5149 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 890 mv @ 60 a | - - - | 60a | - - - | |||||||||||
![]() | 1N735 | - - - | ![]() | 3886 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 10% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 250 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 75 V | 240 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N3007b | 36.9900 | ![]() | 6320 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3007 | 10 w | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µA @ 83,6 V | 110 v | 55 Ohm | |||||||||
![]() | CD4148SBW | - - - | ![]() | 5814 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | Standard | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4148SBW | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||
![]() | SMBJ5939BE3/TR13 | 0,8850 | ![]() | 8930 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5939 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 29.7 V. | 39 v | 45 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4118/tr | 2.3408 | ![]() | 7067 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4118/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 20.45 V. | 27 v | 150 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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