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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1 PMT5931E3/TR13 | 0,7350 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5931 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||||
![]() | UFT3120C | 63,3000 | ![]() | 8964 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UFT3120C | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 30a | 1,1 V @ 15 a | 50 ns | 15 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | 1N5346BE3/TR12 | 2.6850 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5346 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 7,5 µa @ 6,6 V | 9.1 v | 2 Ohm | |||||||||||
![]() | CD5246B | 1.4497 | ![]() | 8839 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5246B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||
1N5234 | 1.8600 | ![]() | 8551 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5234 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,8 V | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4968cus | 40.8900 | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4968cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 20,6 V | 27 v | 6 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jan1n2990b | - - - | ![]() | 9214 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 25,1 V | 33 v | 9 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDLL5263/Tr | 2.7664 | ![]() | 2374 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5263/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 v | 56 v | 150 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N6010b | 2.0700 | ![]() | 8235 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6010 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N6010BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 27 v | 70 Ohm | ||||||||||
![]() | JantX1N5419 | 9.2700 | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5419 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,5 V @ 9 a | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
![]() | CD6489 | 2.1014 | ![]() | 1596 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD6489 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CDLL6346/Tr | 13.1404 | ![]() | 4948 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6346/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 62 v | 82 v | 220 Ohm | ||||||||||||
JantX1N6344C | 29.2350 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N6344C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 52 v | 68 v | 155 Ohm | ||||||||||||||
1n5273/tr | 3.2550 | ![]() | 5954 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5273/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 290 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 86 V | 120 v | 900 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N3735 | 158.8200 | ![]() | 4948 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3735 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||||||
![]() | Jan1N750dur-1 | 14.2500 | ![]() | 2113 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N750 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||
CDll975a | 2.8650 | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL975 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 v | 39 v | 90 Ohm | ||||||||||||
Jan1N4117C-1 | 10.5000 | ![]() | 1408 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4117 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150 Ohm | |||||||||||||
![]() | JANS1N4969CUS/TR | 368.3100 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jans1n4969cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 22,8 V. | 30 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Jan1N975CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 1328 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N975 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 v | 39 v | 80 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n971dur-1/tr | 21.6258 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n971dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | ||||||||||||
![]() | SMBJ4730E3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 8395 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4730 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N2834RB | 96.0150 | ![]() | 6221 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2834 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 51,7 V | 68 v | 8 Ohm | |||||||||||
![]() | 1n2061r | 158.8200 | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2061r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1n5996ur/tr | 3.7350 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | 150-1n5996ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 V @ 200 Ma | 6,8 v | ||||||||||||||||
1n5934b/tr | 2.8462 | ![]() | 6675 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,25 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5934b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N3511d | 6.2250 | ![]() | 2254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N3511 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3511d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6319DUS/Tr | 412.3050 | ![]() | 9786 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6319DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 3 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4690ur-1/tr | 4.6816 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4690ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 100 mA | 10 µa @ 4 V. | 5.6 v | |||||||||||||
![]() | 1N5928CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 7628 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5928 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 7 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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