- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N5524BUR-1 | 14.4600 |  | 3821 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5524 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 3,5 V | 5.6 v | 30 Ohm | |||||||||||||
 | CD746C | - - - | | 2490 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD746C | Ear99 | 8541.10.0050 | 278 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||||||
 | 1N4678 | 3.9800 | | 233 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 7,5 µa @ 1 V | 1,8 v | ||||||||||||||||
| 1N6020ur-1 | 3.5850 | | 9962 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6020 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n6313us/tr | 15.4350 | | 9084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jan1N6313us/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N5368BE3/TR8 | 2.6850 | | 1498 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5368 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 33.8 V. | 47 v | 25 Ohm | |||||||||||||
 | JantXV1N649-1/Tr | - - - | | 2748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/240 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N649-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||||||||||
 | UPR30/TR7 | 3.3300 | | 2167 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-216aa | UPR30 | Standard | PowerMite | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||
| 1N1346R | 38.3850 | | 6005 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1346r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 30 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||||
| Jantxv1n4119cur-1 | 28.8000 | | 9371 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4119 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 21.3 V. | 28 v | 200 Ohm | |||||||||||||
| Jan1N4581aur-1 | 8.1450 | | 7096 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4581 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
| S3650 | 61.1550 | | 7105 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S3650 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| 1n5913c | 6.0300 | | 2412 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5913 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
| 1N4723/tr | 40.2601 | | 3655 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Axial | 1N4723 | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4723/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 3 a | 25 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
| Jantx1n1202ar | 72.3750 | | 1191 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/260 | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1202 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,35 V @ 38 a | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||||
 | JantX1N5811URS/Tr | 20.4300 | | 2242 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5811urs/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||
| JANS1N5968D | - - - | | 5873 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 ma @ 4.28 v | 5.6 v | 1 Ohm | |||||||||||||||
 | 1N6023C | 4.1550 | | 9774 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6023 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 69 V | 91 V | 300 Ohm | |||||||||||||
| JantXV1N757DUR-1 | 23.9550 | | 5028 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N757 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||
 | Jan1N5417/Tr | 6.7800 | | 9835 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5417/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
 | Jantx1n5416us | 11.5500 | | 2680 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N5416 | Standard | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
| 1N5236B | 2.1450 | | 6780 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5236 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N5236BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µa @ 6 V | 7,5 v | 6 Ohm | |||||||||||||
| JANS1N4955CUS/Tr | 462.1650 | | 9273 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jans1N4955CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 100 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||
| JANS1N5811URS | 147.4800 | | 5062 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||
 | CDLL5918D | 11.7300 | | 5411 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5918 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 4 Ohm | |||||||||||||
| UM7306C | - - - | | 6124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Zucht | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um7306Ctr | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 7,5 w | 0,7p @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 600V | 3OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
| JantX1N4572aur-1/Tr | 12.4050 | | 4608 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4572aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 3 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
 | USD245C | 61.6950 | | 4543 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | USD245 | Schottky | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 680 mv @ 4 a | 2 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||||
| 1N5928p/TR8 | 1.8600 | | 2683 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5928 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 7 Ohm | |||||||||||||
| 1N4749PE3/TR12 | 0,9150 | | 7057 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4749 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)