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Dioden (3328)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UDZVFHTE-1727B | 0,3900 |  | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,48% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 21 V | 27 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||
 | EDZFTE6127B | - - - | | 9086 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Edzft | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-edzfe6127btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BAS16HYFHT116 | 0,4500 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas16 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C. | 215 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
 | BAW569HKT116 | - - - | | 2948 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | SSD3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-BAW569HKT116TR | Veraltet | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
 | Tfzvtr9.1b | 0,3700 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzvtr9.1 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
 | Rf201lam4str | 0,4600 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RF201 | Standard | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1,5 a | 30 ns | 1 µa @ 400 V | 150 ° C (max) | 1,5a | - - - | |||||||||||||
 | SCS306AHGC9 | 3.9100 | | 6279 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SCS306 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 V | 175 ° C (max) | 6a | 300PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | RFN20TJ6SGC9 | 1.8100 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | RFN20 | Standard | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,55 V @ 20 a | 140 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 20a | - - - | |||||||||||||
 | RSX101VA-30TR | 0,1224 | | 2214 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RSX101 | Schottky | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 470 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||||
| RB095B-90GTL | - - - | | 4441 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| Gdzt8ept2r14 | - - - | | 8414 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-Gdzt8ept2R14TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rfnl5bge6stl | 0,9500 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Rfnl5 | Standard | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 5 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | |||||||||||||
| Udzlvfhte-1768 | 0,4400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzlvfhte-1768 | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 52 v | 68 v | |||||||||||||||||
| Rlzte-113.0b | - - - | | 7829 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Rlzte113.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX84B5V1LYFHT116 | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1,96% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||
 | RF071MM2STFTR | 0,4800 | | 893 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RF071 | Standard | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 850 mv @ 700 mA | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | 700 Ma | - - - | |||||||||||||
 | EDZTE614.7B | - - - | | 8117 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | EDZTE614 | 150 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µa @ 1 V | 4,7 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
| RR1lam4str | 0,4700 | | 135 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RR1lam4 | Standard | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||||
 | RB400DT146 | 0,5900 | | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RB400 | Schottky | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 MV @ 500 mA | 50 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | 500 mA | 125PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
| RB085B-30GTL | - - - | | 9444 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | RN142ZST2R | - - - | | 3908 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | 0201 (0603 Metrik) | RN142ZST2 | GMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 50 ma | 0,45PF @ 1V, 1 MHz | Pin - Single | 30V | 1,5OHM @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
| Pdzvtftr6.8b | 0,4400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,62% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtftr6.8 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µa @ 3,5 V | 7.25 V. | 6 Ohm | ||||||||||||||||
 | UMN20NFHTR | 0,1057 | | 2795 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umn20 | Standard | Umd6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 10 na @ 20 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
| RFV15TJ6SGC9 | 1.7500 | | 921 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | RFV15 | Standard | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,8 V @ 15 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||
 | RBR5L30BTE25 | 0,3972 | | 6810 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RBR5L30 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 490 mv @ 5 a | 150 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||||||
| SCS302AHGC9 | 2.2000 | | 790 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SCS302 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 2 a | 0 ns | 10,8 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 2.15a | 110pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
| UFZVFHTE-175.6B | 0,3100 | | 483 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UFZVFHTE | 500 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 13 Ohm | ||||||||||||||||
 | SCS215AGC | - - - | | 6096 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS215 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 15 a | 0 ns | 300 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 15a | 550pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | Rlzte-114.7c | - - - | | 4665 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µa @ 1 V | 4,7 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
| RBR3lam40CTFTR | 0,4600 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RBR3lam40 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 100 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 3a | - - - |
2000+
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