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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RFNL10TJ6SGC9 | 1.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Rfnl10 | Standard | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 10 a | 150 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 10a | - - - | |||||||||
![]() | Scs220ajhrtll | 10.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SCS220 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-263ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 20 a | 0 ns | 400 µA @ 600 V | 175 ° C (max) | 20a | 730pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
![]() | Pdzvtr7.5a | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,04% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtr7.5 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µa @ 4 V | 7.45 v | 4 Ohm | ||||||||||||
![]() | RB522S-30TE61 | - - - | ![]() | 2850 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB522S-30TE61TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn3bm2sfhtl | 1.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Rfn3b | Standard | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | 3a | - - - | |||||||||
![]() | Rfn3bm6sfhtl | 0,8700 | ![]() | 9112 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Rfn3b | Standard | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,55 V @ 3 a | 30 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 3a | - - - | |||||||||
![]() | BZX84C15VLYT116 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 v | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||
Rlzte-1124d | - - - | ![]() | 8305 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1124 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 19 V | 23.2 v | 35 Ohm | |||||||||||||
![]() | RBR10RSM40BTL1 | 1.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 540 mv @ 5 a | 300 µa @ 40 V | 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
![]() | Udzlvte-1782 | 0,3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzlvte | 200 MW | SOD-323FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 NA @ 63 V | 82 v | |||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA5.6B | 0,3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2,14% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 µa @ 2,5 V | 5.61 v | 60 Ohm | ||||||||||||
![]() | RB751S-40T9TE61 | - - - | ![]() | 5897 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB751 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB751S-40T9TE61TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDZCT2RA6.8B | 0,4700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | CDZCT2 | 100 MW | Vmn2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 500 NA @ 3,5 V. | 6,8 v | |||||||||||||
![]() | Tfzgtr12b | 0,4800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzgtr12 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 NA @ 9 V | 12 v | 12 Ohm | ||||||||||||
![]() | DZFHTR5.6B | - - - | ![]() | 3491 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | - - - | DZFHTR5.6 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | RB056lam-40TFTR | 0,4900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RB056 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 50 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | YFZVFHTR16B | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,52% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | YFZVFHTR16 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 12 V | 15.65 V. | 18 Ohm | ||||||||||||
![]() | CDZVT2R7.5B | 0,2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZX84B20VLYT116 | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | |||||||||||||
![]() | Tdzvtr12 | 0,3800 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tdzvtr12 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 8 V | 12 v | |||||||||||||
![]() | RR2lam6stftr | 0,5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RR2lamlam66 | Standard | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 2 a | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 2a | - - - | ||||||||||
![]() | RB085BM-60TL | 1.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RB085 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 580 mv @ 5 a | 300 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | EDZ9HUTE619.1B | - - - | ![]() | 2375 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Edz9hut | 100 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-edz9HUTE619.1BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | Rb717umfhtl | 0,4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | RB717 | Schottky | Umd3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 30 ma | 370 mv @ 1 mA | 1 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | ||||||||||
![]() | DAP222WMFHTL | 0,3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DAP222 | Standard | EMD3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||
![]() | Udzlvte-1768 | 0,3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzlvte | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 52 v | 68 v | |||||||||||||
![]() | RFN10BM3STL | 1.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RFN10 | Standard | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 350 V | 1,5 V @ 10 a | 30 ns | 10 µa @ 350 V | 150 ° C (max) | 10a | - - - | |||||||||
![]() | SCS108AGC | - - - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS108 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 160 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 8a | 345PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RBR3lam30btr | 0,5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RBR3lam30 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 530 mv @ 3 a | 80 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 3a | - - - | ||||||||||
![]() | Rfn1vwm2str | 0,5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Rfn1vwm2 | Standard | PMDE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 930 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 V. | 175 ° C. | 1a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus