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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84C36VLFHT116 | 0,1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 7,41% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | RB168MM100TFTR | 0,4800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB168 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 810 mv @ 1 a | 400 na @ 100 v | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||
![]() | RBQ20NS65AFHTL | 1.2500 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RBQ20 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 65 V | 20a | 690 mv @ 10 a | 140 µa @ 65 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | BAT54HMT116 | 0,2400 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 50 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 12pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RB050LA-40ZDTR | - - - | ![]() | 1730 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RB050 | Schottky | PMDT | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-RB050LA-40ZDTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 V | 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
![]() | RB161VA-20TR | 0,1565 | ![]() | 8926 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB161 | Schottky | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 420 mv @ 1 a | 1 ma @ 20 v | 125 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||
![]() | RB085B-30TL | - - - | ![]() | 6182 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RB085B-30 | Schottky | CPD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 5a | 480 mv @ 4 a | 300 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | RF1005TF6SFHC9 | 2.0300 | ![]() | 954 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | RF1005 | Standard | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 a | 40 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 10a | - - - | |||||||||
Mtzjt-776.8b | - - - | ![]() | 5600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 500 MW | MSD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 2 µa @ 3,5 V | 6,8 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Kdzvtr3.9b | 0,3800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | KDZV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZVTR3.9 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 40 µa @ 1 V | 4.15 V | |||||||||||||
![]() | DA380UT106 | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DA380 | Standard | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 10 na @ 20 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | Pdzvtr2.0b | 0,4000 | ![]() | 277 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtr2.0 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA @ 500 mV | 2 v | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | RB496KATR | 0,5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | RB496 | Schottky | Tumd5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 20 v | 1a | 430 mv @ 1 a | 800 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | ||||||||||
![]() | RB238NS-60TL | 2.1500 | ![]() | 862 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RB238 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 40a | 860 mv @ 20 a | 12 µa @ 60 V | 150 ° C. | ||||||||||
![]() | SCS302Ajtll | 2.6300 | ![]() | 499 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SCS302 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Lptl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 2,15 a | 0 ns | 10,8 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 2.15a | 110pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
![]() | RB530CM-30T2R | 0,2600 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB530 | Schottky | Vmn2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 460 mv @ 10 mA | 300 na @ 10 v | 150 ° C (max) | 100 ma | - - - | ||||||||||
![]() | RBR3L30ate25 | 0,2136 | ![]() | 8021 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RBR3L30 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 580 mv @ 3 a | 50 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 3a | - - - | ||||||||||
![]() | VDZT2R3.6B | - - - | ![]() | 1988 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-723 | Vdzt2 | 100 MW | VMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 10 µa @ 1 V | 3.6 V | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | Rre07vsm4str | 0,4400 | ![]() | 8336 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Rre07 | Standard | Tumd2sm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 700 mA | 1 µa @ 400 V | 150 ° C (max) | 700 Ma | - - - | ||||||||||
![]() | Tdzvtr16 | 0,3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tdzvtr16 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 11 V | 16 v | |||||||||||||
![]() | RFS60TZ6SGC13 | 7.6400 | ![]() | 638 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | RFS60 | Standard | To-247ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RFS60TZ6SGC13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 2,3 V @ 60 a | 55 ns | 10 µa @ 650 V | 175 ° C. | 60a | - - - | ||||||||
![]() | 1SS355VMTE-17 | 0,2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 1SS355 | Standard | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 100 ma | 3PF @ 0,5 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | PTZTE2511A | 0,2014 | ![]() | 4877 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | PTZTE2511 | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µa @ 8 V | 11 v | 8 Ohm | ||||||||||||
![]() | RSX1001T3 | 1.1900 | ![]() | 460 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RSX1001 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 5a | 450 mV @ 5 a | 500 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | ||||||||||
![]() | EDZVT2R36B | 0,2800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 100 na @ 27 V | 36 v | 300 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZX84B27VLYT116 | 0,4500 | ![]() | 350 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1,85% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 19 V | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDZVT2R5.1B | 0,2700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 2 µa @ 1,5 V | 5.1 v | 80 Ohm | ||||||||||||
Rlzte-1122d | - - - | ![]() | 8640 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1122 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 17 V | 21.2 v | 30 Ohm | |||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-1722B | 0,3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,11% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | Scs215ajtll | 6.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SCS215 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-263ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 15 a | 0 ns | 300 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 15a | 550pf @ 1V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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