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Dioden (3328)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SCS212AGC17 | 5.9100 |  | 189 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCS212AGC17 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 12 a | 0 ns | 240 µa @ 600 V | 175 ° C. | 12a | 438PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | Rlzte-113.9b | - - - | | 2787 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µa @ 1 V | 3,9 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||
 | Tfzgtr39b | 0,0886 | | 9975 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzgtr39 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 30 v | 39 v | 85 Ohm | ||||||||||||||||
 | Udzwte-176.8b | - - - | | 5960 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
 | RBQ10BGE10ATL | 1.6000 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBQ10 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 770 mv @ 5 a | 80 µa @ 100 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
 | RSX101M-30TR | 0,1094 | | 6611 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RSX101 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 390 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | 1a | 60pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | RB088NS-40FHTL | 1.4200 | | 880 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RB088 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 10a | 770 mv @ 5 a | 3 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
 | EDZUCTE619.1B | - - - | | 7909 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | EDZUCT | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-EDZUCTE619.1BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | RN141Ste61 | 0,4100 | | 968 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | RN141 | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 0,8PF @ 1V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 2OHM @ 3MA, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BZX84C6V2LYT116 | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,45% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
| RB560SS-40T2R | - - - | | 3686 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | RB560 | Schottky | Kmd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB560SS-40T2RTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 640 mv @ 500 mA | 40 µa @ 40 V | 150 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||||||
| RBR10NS30AFHTL | 0,5979 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RBR10 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 10a | 550 mV @ 5 a | 100 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
| UDZVFHTE-1733B | 0,3500 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,48% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||
| BZX84C12VLYFHT116 | 0,3800 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,42% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
| Rlzte-1136c | - - - | | 5813 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 27 v | 33,6 v | 75 Ohm | |||||||||||||||||
 | RB238T100NZC9 | 2.7600 | | 864 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB238 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 40a | 860 mv @ 20 a | 20 µa @ 100 V | 150 ° C. | ||||||||||||||
| Rlzte-1122c | - - - | | 4413 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1122 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 17 V | 21.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
 | Tfzvtr3.3b | 0,3700 | | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzvtr3.3 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µa @ 1 V | 3.3 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1SR124-400AT-82 | - - - | | 8647 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1SR124 | Standard | GSR | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1SR124400AT82 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 400 ns | 10 µa @ 400 V | 1a | - - - | |||||||||||||
| RB521S-403TTE61 | - - - | | 6340 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB521 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB521S-403TTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| RB051MS-2YTR | - - - | | 9176 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C6V2LT116 | 0,2300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,45% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
 | SCS210KE2C | - - - | | 6896 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | SCS210 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 0 ns | 175 ° C (max) | 10a | - - - | |||||||||||||||
| RB095T-90 | 0,7613 | | 4435 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB095 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 90 v | 3a | 750 mv @ 3 a | 150 µa @ 90 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||
| BZX84C9V1LFHT116 | 0,1600 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,08% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 6 v | 9.05 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
| YFZVFHTR39B | 0,4300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2,52% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | YFZVFHTR39 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 30 v | 36.28 V. | 85 Ohm | ||||||||||||||||
| BZX84B30VLFHT116 | 0,2700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 21 V | 30 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
| RBR2MM40CTFTR | 0,4700 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RBR2MM40 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 520 mv @ 2 a | 100 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 2a | - - - | ||||||||||||||
| BAV99T116 | - - - | | 6008 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV99 | Standard | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 75 V | 215 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||
| Rlzte-1116a | - - - | | 5779 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 12 V | 16 v | 18 Ohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
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